Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 9.5A, 1uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 45V. Id (T=25°C): 9.5A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 45V. C (in): 1830pF. C (out): 410pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation de puissance, convertisseurs DC/DC, onduleurs. Protection G-S: oui. Id(imp): 35A. Marquage sur le boîtier: TB. Nombre de connexions: 8. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 78 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: 4V Drive N-ch MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 10A, 10A, 0.0125 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.0125 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 4V Drive N-ch MOSFET

Transistor canal N, 20A, 20A, TO-247, TO-247. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Quantité par boîtier: 1. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Cool Mos

Transistor canal N, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1970pF. C (out): 310pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 50 ns. Fonction: IGBT haute vitesse. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 48A. Ic(puls): 90A. Marquage sur le boîtier: G30N60RUFD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 235W. RoHS: oui. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 54 ns. Td(on): 30 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.2V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V

Transistor canal N, 10.6A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 10.6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 550pF. C (out): 62pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Fonction: commandes de moteur, onduleur. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 20A. Ic(puls): 40A. Marquage sur le boîtier: G10N60A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 92W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 178 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: IGBT rapide en technologie NPT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V

Transistor canal N, 15A, TO-220, TO-220AC, 1200V. Ic(T=100°C): 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. RoHS: oui. C (in): 1250pF. C (out): 100pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Trr Diode (Min.): 3. Fonction: commandes de moteur, onduleur, SMPS. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 52A. Marquage sur le boîtier: G15N120. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 198W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 580 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: IGBT rapide en technologie NPT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V

Transistor canal N, 30A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. RoHS: oui. C (in): 1600pF. C (out): 150pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Trr Diode (Min.): 3. Fonction: commandes de moteur, onduleur. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 41A. Ic(puls): 112A. Marquage sur le boîtier: G30N60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 291 ns. Td(on): 44 ns. Technologie: IGBT rapide en technologie NPT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 30 v, 3.6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P4. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 235pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.7W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 30 v, 3.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L6. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.057 Ohms @ 2.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 305pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, MS-012, 60V, 2.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 190pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.66W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 8A, 10A, 10A, 0.013 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, 30 v, 7.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4410BDY. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 10.5A, 13.5A, 13.5A, 0.008 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 10.5A. Id (T=25°C): 13.5A. Idss (maxi): 13.5A. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 50A. Marquage sur le boîtier: 4420AP. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET

Transistor canal N, 26A, 32A, 10uA, 17m Ohms, SO, SO-8, 12V. Id (T=100°C): 26A. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 17m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 12V. C (in): 12350pF. C (out): 2775pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 84 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Power MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 70A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 7.8W. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 240 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V

Transistor canal N, 4.8A, 6A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. Id (T=100°C): 4.8A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 20uA. Résistance passante Rds On: 0.026 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 80V. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Power MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 40A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 52 ns. Td(on): 12.5 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. Id (T=100°C): 5.2A. Id (T=25°C): 6.2A. Idss (maxi): 20uA. Résistance passante Rds On: 0.026 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 80V. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Power MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 40Ap. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 52 ns. Td(on): 12.5 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, 30V/-30V, 3.7A/-3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A/-3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4532ADY-T1-E3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.053 Ohms/0.08 Ohms @ 4.9/-3.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns/8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23/21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.13W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30V/-30V, 5.2A/-3.4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4532CDY-T1-E3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns/10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25/30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 305/340pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.14W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, 60V/-60V, 4.5A/-3.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 60V/-60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A/-3.1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4559EY. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms/0.075 Ohms @ 4.5/-3.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns/8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 36/12ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 5A, 6.5A, 5uA, 0.0155 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 0.0155 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, MOSFET de puissance. Protection G-S: non. Id(imp): 40Ap. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 4800B. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 32 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V

Transistor canal N, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V. Id (T=100°C): 9.9A. Id (T=25°C): 12.4A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 0.0074 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 40V. C (in): 2000pF. C (out): 260pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: oui. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 25 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, 60V, 5.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4946BEY-T1-E3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.052 Ohms @ 4.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.6W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, 60V, 4.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4946EY-T1-E3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 4.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 60 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, TO-263AB, 30 v, 6.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): TO-263AB. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI9410BDY-E3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 8.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 4.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI9936BDY. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 550pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C