Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0075 Ohms. Boîtier: PowerPAK SO-8. Boîtier (selon fiche technique): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 985pF. C (out): 205pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 14 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'High-Side Switch'. Protection G-S: non. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 196k Ohms. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 29.8W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 90A, Autre, Autre, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 5000pF. C (out): 720pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Fonction: IGBT haute puissance. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 100A. Ic(puls): 150A. Remarque: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Nombre de connexions: 7. RoHS: oui. Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Td(off): 450 ns. Td(on): 30 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 90A, Autre, Autre, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 5000pF. C (out): 720pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Fonction: IGBT haute puissance. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 100A. Ic(puls): 150A. Remarque: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Nombre de connexions: 7. RoHS: oui. Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Td(off): 450 ns. Td(on): 30 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 330A, Autre, Autre, 1200V. Ic(T=100°C): 330A. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 23.1pF. C (out): 1.9pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Fonction: IGBT haute puissance. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 470A. Ic(puls): 600A. Nombre de connexions: 7. Dimensions: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: oui. Spec info: IFSM--2200Ap (t=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 650 ns. Td(on): 330 ns. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.15V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1100pF. C (out): 107pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 300 ns. Fonction: S-IGBT rapide en technologie NPT. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 80A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 179W. RoHS: oui. Spec info: K20N60. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 445 ns. Td(on): 36ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V

Transistor canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 1150pF. C (out): 120pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 280 ns. Fonction: Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery. Courant de collecteur: 46A. Ic(puls): 84A. Marquage sur le boîtier: K25N120. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 313W. RoHS: oui. Spec info: Td(on) 50ns / Td(off) 820ns. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 730 ns. Td(on): 45 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3.1V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V

Transistor canal N, 49A, 77.5A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. Id (T=100°C): 49A. Id (T=25°C): 77.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.041 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 650V. C (in): 8180pF. C (out): 310pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 630 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Increased MOSFET dv/dt ruggedness'. Protection G-S: non. Id(imp): 267A. Idss (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: 6R041P6. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 481W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 29 ns. Technologie: CoolMOS ™ P6 Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V

Transistor canal N, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.017...0.025 Ohms. Marquage sur le boîtier: TB. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS)

Transistor canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3-1. Tension Vds(max): 650V. C (in): 490pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Protection G-S: non. Id(imp): 13.5A. Idss (min): 0.5uA. Remarque: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Marquage sur le boîtier: 04N60C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31W. RoHS: oui. Spec info: Capacité dv/dt exceptionnelle. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 650V. C (in): 790pF. C (out): 260pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Protection G-S: non. Id(imp): 21.9A. Idss (min): 0.5uA. Remarque: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Marquage sur le boîtier: 07N60C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 32W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, ITO-220 (PG-TO220FP), 650V, 7.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-220 (PG-TO220FP). Tension drain-source Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 07N60C3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 4.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.9V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 60 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 790pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 32W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.56 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1100pF. C (out): 46pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Protection G-S: non. Id(imp): 24A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: 08N60C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Spec info: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1200pF. C (out): 390pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: boîtier isolé (2500VAC, 1 min). Protection G-S: non. Id(imp): 33A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 11N65C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 33W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 44 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3-1. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1600pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Protection G-S: non. Id(imp): 33A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 11N80C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 41W. Spec info: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 560V. C (in): 1600pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 420 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Capacité dv/dt exceptionnelle. Protection G-S: non. Id(imp): 48A. Idss (min): 0.1uA. Remarque: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Marquage sur le boîtier: 16N50C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 34W. RoHS: oui. Spec info: capacités effectives ultra faibles. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 28A, 32A, 32A, 0.028 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 32A. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SIPMOS Power Transistor

Transistor canal N, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v. Id (T=25°C): 56A. Idss (maxi): 56A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263 ( D2PAK ). Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Marquage sur le boîtier: 56N03L. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SIPMOS Power Transistor

Transistor canal N, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 3.4M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 4480pF. C (out): 1580pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 195 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Enhancement mode'. Protection G-S: non. Id(imp): 320A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N04H4. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 46 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 560V. C (in): 750pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 370 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Protection G-S: non. Id(imp): 22.8A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 08N50C3. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 83W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V. Id (T=100°C): 6.5A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.093 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 215pF. C (out): 75pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration dv/dt. Id(imp): 37A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: SPD09N05. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 24W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 30A. Idss: 100uA. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.023 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 790pF. C (out): 390pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 32 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Id(imp): 112A. Marquage sur le boîtier: 28N03L. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 12 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: SIPMOS Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.6V

Transistor canal N, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 650V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-262 ( I2-PAK ). Boîtier (selon fiche technique): TO-262. Tension Vds(max): 650V. C (in): 16pF. C (out): 30pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Protection G-S: non. Id(imp): 21.9A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 07N60C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 83W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 85m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Tension Vds(max): 650V. C (in): 490pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Protection G-S: non. Id(imp): 13.5A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 04N60C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: Capacité dv/dt exceptionnelle. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.78 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Tension Vds(max): 800V. C (in): 490pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Protection G-S: non. Id(imp): 13.5A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 04N80C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. Id (T=100°C): 3.8A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.78 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Tension Vds(max): 800V. C (in): 785pF. C (out): 33pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 520 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Protection G-S: non. Id(imp): 18A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 06N80C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 83W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V