Transistor canal N, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V - STD13NM60N
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.67$ | 3.85$ |
| 5 - 9 | 3.49$ | 3.66$ |
| 10 - 24 | 3.31$ | 3.48$ |
| 25 - 34 | 3.12$ | 3.28$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.67$ | 3.85$ |
| 5 - 9 | 3.49$ | 3.66$ |
| 10 - 24 | 3.31$ | 3.48$ |
| 25 - 34 | 3.12$ | 3.28$ |
Transistor canal N, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V - STD13NM60N. Transistor canal N, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V. Id (T=100°C): 6.93A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ). Tension Vds(max): 650V. C (in): 790pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 10:25.
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