Transistor canal N, 80A, 80A, 10uA, 3.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V - STB120N4F6

Quantité	HT	TTC
1 - 4	4.01$	4.21$
5 - 9	3.81$	4.00$
10 - 24	3.61$	3.79$
25 - 49	3.41$	3.58$
50 - 99	3.33$	3.50$
100 - 249	3.03$	3.18$
250 - 293	2.88$	3.02$

Quantité	U.P
1 - 4	4.01$	4.21$
5 - 9	3.81$	4.00$
10 - 24	3.61$	3.79$
25 - 49	3.41$	3.58$
50 - 99	3.33$	3.50$
100 - 249	3.03$	3.18$
250 - 293	2.88$	3.02$

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Transistor canal N, 80A, 80A, 10uA, 3.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V - STB120N4F6. Transistor canal N, 80A, 80A, 10uA, 3.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 3.5m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 3850pF. C (out): 650pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 120N4F6. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: STripFET™ VI Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: applications de commutation, automobile. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 10:25.

Documentation technique