Transistor canal N, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V - STD10NF10

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.53$	1.61$
5 - 9	1.45$	1.52$
10 - 24	1.38$	1.45$
25 - 49	1.30$	1.37$
50 - 99	1.27$	1.33$
100 - 109	1.15$	1.21$

Quantité	U.P
1 - 4	1.53$	1.61$
5 - 9	1.45$	1.52$
10 - 24	1.38$	1.45$
25 - 49	1.30$	1.37$
50 - 99	1.27$	1.33$
100 - 109	1.15$	1.21$

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Transistor canal N, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V - STD10NF10. Transistor canal N, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Id (T=100°C): 9A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.115 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 470pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D10NF10. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 32 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MOSFET de puissance STRipFET™ II à faible charge de grille. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 21:25.

Documentation technique