Transistor canal N, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V - STB12NM50ND

Quantité	HT	TTC
1 - 4	6.68$	7.01$
5 - 9	6.34$	6.66$
10 - 24	6.01$	6.31$
25 - 49	5.68$	5.96$
50 - 77	5.54$	5.82$

Quantité	U.P
1 - 4	6.68$	7.01$
5 - 9	6.34$	6.66$
10 - 24	6.01$	6.31$
25 - 49	5.68$	5.96$
50 - 77	5.54$	5.82$

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Transistor canal N, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V - STB12NM50ND. Transistor canal N, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 550V. C (in): 850pF. C (out): 48pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 122 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: B12NM50ND. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: FDmesh™ II Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (avec diode rapide). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 11:25.

Documentation technique