Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, MS-012, 30 v, 8A - SQ2348ES-T1_GE3
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.78$ | 1.87$ |
| 5 - 9 | 1.69$ | 1.77$ |
| 10 - 24 | 1.63$ | 1.71$ |
| 25 - 49 | 1.60$ | 1.68$ |
| 50 - 99 | 1.56$ | 1.64$ |
| 100 - 249 | 1.10$ | 1.16$ |
| 250 - 5853 | 1.06$ | 1.11$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.78$ | 1.87$ |
| 5 - 9 | 1.69$ | 1.77$ |
| 10 - 24 | 1.63$ | 1.71$ |
| 25 - 49 | 1.60$ | 1.68$ |
| 50 - 99 | 1.56$ | 1.64$ |
| 100 - 249 | 1.10$ | 1.16$ |
| 250 - 5853 | 1.06$ | 1.11$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, MS-012, 30 v, 8A - SQ2348ES-T1_GE3. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, MS-012, 30 v, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 540pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 16/06/2025, 22:25.
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