Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 25A, 25A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 25A. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 100A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Field Effect Power MOSFET

Transistor canal N, 75A, 75A, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 75A. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 2960pF. C (out): 1130pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 225A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 54 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 30 v, 1.7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.7A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NDS355AN_NL. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 195pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: transistor MOSFET N. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 2xV-MOS

Transistor canal N, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V. Id (T=25°C): 82A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 4.1m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): MP-25ZP. Tension Vds(max): 55V. C (in): 6400pF. C (out): 465pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 900. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Protection G-S: non. Id(imp): 328A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 82N055. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 142W. RoHS: oui. Spec info: transistor MOSFET. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 72 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: transistor MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 10A, 20A, 10uA, 0.039 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.039 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 707pF. C (out): 224pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 60A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 20N6LG. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 25 ns. Td(on): 9.6 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 60V, 20A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 20N06LG. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 990pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 12A, 12A, 0.084 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Résistance passante Rds On: 0.084 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ID pulse 45A/10us. Id(imp): 45A. Remarque: sérigraphie/code CMS 55094G. Dissipation de puissance maxi: 48W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Power MOSFET

Transistor canal N, 9A, 9A, 0.122 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.122 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ID pulse 27A/10us. Id(imp): 27A. Remarque: sérigraphie/code CMS 3150G. Dissipation de puissance maxi: 29W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Power MOSFET

Transistor canal N, 12A, 12A, 0.089 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Résistance passante Rds On: 0.089 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique, ID pulse 45A/10us. Id(imp): 45A. Remarque: 55L104G. Dissipation de puissance maxi: 48W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Power MOSFET

Transistor canal N, 12A, 10uA, 0.089 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.089 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. RoHS: oui. C (in): 316pF. C (out): 105pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 35 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique, ID pulse 45A/10us. Protection G-S: non. Id(imp): 45A. Idss (min): 1uA. Remarque: sérigraphie/code CMS 55L104G. Dissipation de puissance maxi: 48W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19 ns. Td(on): 9.2 ns. Technologie: Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 60V, 12A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 55L104G. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 440pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=100°C): 96A. Id (T=25°C): 124A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 3.4M Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4490pF. C (out): 952pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 34 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 230A. Idss (min): 1uA. Remarque: sérigraphie/code CMS 4804NG. Marquage sur le boîtier: 4804NG. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 107W. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 230A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 24 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V

Transistor canal N, 5.1A, 25uA, 0.036 Ohms, TSOP, TSOP-6, 20V. Id (T=25°C): 5.1A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-6. Tension Vds(max): 20V. C (in): 510pF. C (out): 200pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 20 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: applications de batterie lithium-ion, ordinateur portable. Protection G-S: non. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 446. Nombre de connexions: 6. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 35 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 0.6V

Transistor canal N, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V. Id (T=100°C): 83A. Id (T=25°C): 118A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-3L, CASE 340CX. Tension Vds(max): 900V. C (in): 4416pF. C (out): 296pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: UPS, convertisseur DC/DC, onduleur Boost. Protection G-S: non. Id(imp): 472A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 503W. Spec info: IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: MOSFET – SiC Power, Single N-Channel. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 19V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 38A, 53A, 53A, 7.6m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. Id (T=100°C): 38A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 53A. Résistance passante Rds On: 7.6m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8FL. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ID pulse 108A/10ms. Id(imp): 108A. Remarque: sérigraphie/code CMS 4744N. Marquage sur le boîtier: 4744N. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 47W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Power MOSFET

Transistor canal N, 138A, 191A, 191A, 1.3M Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. Id (T=100°C): 138A. Id (T=25°C): 191A. Idss (maxi): 191A. Résistance passante Rds On: 1.3M Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8FL. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ID pulse 288A/10ms. Id(imp): 288A. Remarque: sérigraphie/code CMS 4833N. Marquage sur le boîtier: 4833N. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 114W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Power MOSFET

Transistor canal N, 75A, 104A, 104A, 2.9m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 104A. Idss (maxi): 104A. Résistance passante Rds On: 2.9m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8FL. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ID pulse 208A/10ms. Id(imp): 208A. Remarque: sérigraphie/code CMS 4835N. Marquage sur le boîtier: 4835N. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 63W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Power MOSFET

Transistor canal N, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 790pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 15.5 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amélioration du niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 40A. Dissipation de puissance maxi: 32W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 11.8 ns. Td(on): 2.2 ns. Technologie: Transistor à effet de champ

Transistor canal N, 30A, 0.1uA, 30A, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB. Id (T=25°C): 30A. Idss: 0.1uA. Idss (maxi): 30A. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. C (in): 860pF. C (out): 450pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 60.4k Ohms. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Transistor à effet de champ

Transistor canal N, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-220, TO-220AB. Id (T=25°C): 50A. Idss: 50uA. Idss (maxi): 50A. Résistance passante Rds On: 5.1M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. C (in): 2780pF. C (out): 641pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 34 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 100A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 59.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Transistor à effet de champ

Transistor canal N, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK). Id (T=25°C): 50A. Idss: 50uA. Idss (maxi): 50A. Résistance passante Rds On: 5.1M Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-263 (D2PAK). C (in): 2780pF. C (out): 641pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 34 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 100A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 59.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 35 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Transistor à effet de champ

Transistor canal N, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 50A. Idss: 25uA. Idss (maxi): 50A. Résistance passante Rds On: 15m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 1200pF. C (out): 600pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 150A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Transistor à effet de champ

Transistor canal N, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 75A. Idss: 25uA. Idss (maxi): 75A. Résistance passante Rds On: 5M Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 5000pF. C (out): 1800pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 170A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 24 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Transistor à effet de champ

Transistor canal N, 30A, 45A, 10uA, 0.016 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 25V. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 45A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-404. Tension Vds(max): 25V. C (in): 920pF. C (out): 260pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 52 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor de puissance à effet de champ. Commande par niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 180A. Idss (min): 0.05uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 86W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 78 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: TrenchMOS transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V