Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.57$ | 0.60$ |
5 - 9 | 0.54$ | 0.57$ |
10 - 24 | 0.53$ | 0.56$ |
25 - 49 | 0.51$ | 0.54$ |
50 - 99 | 0.50$ | 0.53$ |
100 - 249 | 0.49$ | 0.51$ |
250 - 7863 | 0.71$ | 0.75$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.57$ | 0.60$ |
5 - 9 | 0.54$ | 0.57$ |
10 - 24 | 0.53$ | 0.56$ |
25 - 49 | 0.51$ | 0.54$ |
50 - 99 | 0.50$ | 0.53$ |
100 - 249 | 0.49$ | 0.51$ |
250 - 7863 | 0.71$ | 0.75$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, MS-012, 60V, 2.3A - SI2308BDS-T1-GE3. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, MS-012, 60V, 2.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 190pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.66W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 17/06/2025, 04:25.
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