Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.22$ | 1.28$ |
5 - 9 | 1.16$ | 1.22$ |
10 - 24 | 1.10$ | 1.16$ |
25 - 49 | 1.04$ | 1.09$ |
50 - 99 | 1.01$ | 1.06$ |
100 - 249 | 0.99$ | 1.04$ |
250 - 2066 | 0.94$ | 0.99$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.22$ | 1.28$ |
5 - 9 | 1.16$ | 1.22$ |
10 - 24 | 1.10$ | 1.16$ |
25 - 49 | 1.04$ | 1.09$ |
50 - 99 | 1.01$ | 1.06$ |
100 - 249 | 0.99$ | 1.04$ |
250 - 2066 | 0.94$ | 0.99$ |
Transistor canal N, 8A, 10A, 10A, 0.013 Ohms, SO, SO-8, 30 v - SI4410BDY. Transistor canal N, 8A, 10A, 10A, 0.013 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET. Quantité par boîtier: 1. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 22:25.
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