Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, 60V, 4.5A - SI4946EY-T1-E3
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.67$ | 2.80$ |
| 5 - 9 | 2.53$ | 2.66$ |
| 10 - 24 | 2.45$ | 2.57$ |
| 25 - 49 | 2.40$ | 2.52$ |
| 50 - 99 | 1.95$ | 2.05$ |
| 100 - 249 | 1.88$ | 1.97$ |
| 250 - 371 | 1.82$ | 1.91$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.67$ | 2.80$ |
| 5 - 9 | 2.53$ | 2.66$ |
| 10 - 24 | 2.45$ | 2.57$ |
| 25 - 49 | 2.40$ | 2.52$ |
| 50 - 99 | 1.95$ | 2.05$ |
| 100 - 249 | 1.88$ | 1.97$ |
| 250 - 371 | 1.82$ | 1.91$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, 60V, 4.5A - SI4946EY-T1-E3. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, 60V, 4.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4946EY-T1-E3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 4.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 60 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 17/06/2025, 04:25.
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