Transistor canal N, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V - SI4840BDY

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.86$	1.95$
5 - 9	1.77$	1.86$
10 - 24	1.68$	1.76$
25 - 49	1.58$	1.66$
50 - 99	1.55$	1.63$
100 - 249	1.51$	1.59$
250 - 317	1.43$	1.50$

Quantité	U.P
1 - 4	1.86$	1.95$
5 - 9	1.77$	1.86$
10 - 24	1.68$	1.76$
25 - 49	1.58$	1.66$
50 - 99	1.55$	1.63$
100 - 249	1.51$	1.59$
250 - 317	1.43$	1.50$

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Transistor canal N, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V - SI4840BDY. Transistor canal N, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V. Id (T=100°C): 9.9A. Id (T=25°C): 12.4A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 0.0074 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 40V. C (in): 2000pF. C (out): 260pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 25 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 18:25.

Documentation technique