Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, TO-263AB, 30 v, 6.2A - SI9410BDY-E3
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.96$ | 1.01$ |
| 5 - 9 | 0.92$ | 0.97$ |
| 10 - 24 | 0.89$ | 0.93$ |
| 25 - 49 | 0.87$ | 0.91$ |
| 50 - 99 | 0.85$ | 0.89$ |
| 100 - 249 | 0.66$ | 0.69$ |
| 250 - 2358 | 0.64$ | 0.67$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.96$ | 1.01$ |
| 5 - 9 | 0.92$ | 0.97$ |
| 10 - 24 | 0.89$ | 0.93$ |
| 25 - 49 | 0.87$ | 0.91$ |
| 50 - 99 | 0.85$ | 0.89$ |
| 100 - 249 | 0.66$ | 0.69$ |
| 250 - 2358 | 0.64$ | 0.67$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, TO-263AB, 30 v, 6.2A - SI9410BDY-E3. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, TO-263AB, 30 v, 6.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): TO-263AB. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI9410BDY-E3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 8.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 17/06/2025, 04:25.
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