Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 600V, 12A, 1, TO-220, 600V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Boîtier (norme JEDEC): 1. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQP12N60C. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 70 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 280 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 9.05A, 12.8A, 10uA, 0.142 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 9.05A. Id (T=25°C): 12.8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.142 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 345pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 72 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Protection G-S: non. Id(imp): 51.2A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Poids: 2.07g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 20 ns. Td(on): 5 ns. Technologie: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 7.9A. Id (T=25°C): 12.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.33 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1800pF. C (out): 245pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 170W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1580pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 410 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 195W. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille (43nC typique). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 13.5A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.078 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 600pF. C (out): 165pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 78 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 76A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 12.1A, 19A, 19A, 0.14 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 12.1A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 19A. Résistance passante Rds On: 0.14 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, td(on)15ns, td(off)135ns. Id(imp): 76A. Dissipation de puissance maxi: 139W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET)

Transistor canal N, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 23A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1150pF. C (out): 320pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille. Protection G-S: non. Id(imp): 132A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 127W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 80 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 2.02A, 3.2A, 10uA, 1.65 Ohms, TO-220, TO220, 300V. Id (T=100°C): 2.02A. Id (T=25°C): 3.2A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.65 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220. Tension Vds(max): 300V. C (in): 175pF. C (out): 40pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 12.8A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 55W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 30.8A, 43.5A, 10uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 30.8A. Id (T=25°C): 43.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1400pF. C (out): 425pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 98 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille. Protection G-S: non. Id(imp): 174A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 146W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 32.2A, 45.6A, 10uA, 0.033 Ohms, TO-220, TO-220, 150V. Id (T=100°C): 32.2A. Id (T=25°C): 45.6A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.033 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 150V. C (in): 2500pF. C (out): 520pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 182A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 210W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 210 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 60V, 50A, 1, TO-220, 60V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Boîtier (norme JEDEC): 1. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQP50N06. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1540pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 120W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 60V, 52.4A, 1, TO-220, 60V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 52.4A. Boîtier (norme JEDEC): 1. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQP50N06L. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 50 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 170 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1630pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 121W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Spec info: niveau logique. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 80 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 2.6A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 515pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 15nC, faible Crss 6.5pF. Protection G-S: non. Id(imp): 18A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: 'enhancement mode power field effect transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1420pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 26.4A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 167W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 95 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.57 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1290pF. C (out): 120pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 27nC, faible Crss 10pF. Protection G-S: non. Id(imp): 26.4A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 167W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 60A, 85A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 3170pF. C (out): 1150pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 300A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 175 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 8A. Résistance passante Rds On: 1.12 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 900V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 45nC, faible Crss 14pF. Id(imp): 32A. Dissipation de puissance maxi: 205W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: DMOS, QFET

Transistor canal N, 6A, 9.5A, 9.5A, 0.36 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 9.5A. Idss (maxi): 9.5A. Résistance passante Rds On: 0.36 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 20nC, faible Crss 40.5pF. Id(imp): 38A. Dissipation de puissance maxi: 38W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: DMOS, QFET

Transistor canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1515pF. C (out): 185pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 43nC, faible Crss 20pF. Protection G-S: non. Id(imp): 44A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 48W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 120ns. Td(on): 24 ns. Technologie: QFET ® FRFET ® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 7.4A, 12A, 10uA, 0.53 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 7.4A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.53 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1760pF. C (out): 182pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 420 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast switch, Low gate charge 48nC, Low Crss 21pF. Protection G-S: non. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 51W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 11.8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1220pF. C (out): 220pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 12.1A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.14 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 830pF. C (out): 195pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 208 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 76A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 43W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 135 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v

Transistor canal N, 11.1A, 15.7A, 10uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. Id (T=100°C): 11.1A. Id (T=25°C): 15.7A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.042 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 60V. C (in): 480pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 54 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 17nC, faible Crss 5.6pF. Protection G-S: non. Id(imp): 62.8A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 1.9A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 543pF. C (out): 54pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 642 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 13nC, faible Crss 5.5pF. Protection G-S: non. Id(imp): 12A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 39W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 22.5 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 2.3A, 4A, 100uA, 3.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3.5 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 740pF. C (out): 65pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 17nC, faible Crss 5.6pF. Protection G-S: non. Id(imp): 16A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 47W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V