Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2110pF. C (out): 200pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 45 ns. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 290W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 112 ns. Td(on): 24 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2820pF. C (out): 350pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 47 ns. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Marquage sur le boîtier: FGH60N60SFD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 378W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 134 ns. Td(on): 22 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.9V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2820pF. C (out): 350pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Marquage sur le boîtier: FGH60N60SF. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 378W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 134 ns. Td(on): 22 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.9V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2915pF. C (out): 270pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 30 ns. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Marquage sur le boîtier: FGH60N60SMD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 18 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 42A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264-3L, 1000V. Ic(T=100°C): 42A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264-3L. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1000V. C (in): 6000pF. C (out): 260pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Trr Diode (Min.): 1.2us. Fonction: onduleur solaire, UPS, Poste de soudage, PFC, Télécom, ESS. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 200A. Marquage sur le boîtier: G60N100BNTD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 180W. RoHS: oui. Spec info: NPT-Trench IGBT. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 630 ns. Td(on): 140 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille - émetteur VGE: 25V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V

Transistor canal N, 75A, TO-247, Power TO-247D03, 600V. Ic(T=100°C): 75A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): Power TO-247D03. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 3800pF. C (out): 390pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 150A. Ic(puls): 225A. Marquage sur le boîtier: FGY 75N60SMD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 750W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 136 ns. Td(on): 24 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.14V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 25A, Autre, Autre, 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 1.45pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Fonction: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 39A. Ic(puls): 50A. Remarque: 7x IGBT+ CE Diode. Nombre de connexions: 33dB. Dimensions: 56.7x48x12mm. Dissipation de puissance maxi: 175W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.46 ns. Td(on): 0.08 ns. Technologie: Module hybride IGBT. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.25V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.2V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V

Transistor canal N, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. Id (T=100°C): 6.32A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.93 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2150pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 730 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Protection G-S: non. Id(imp): 40A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: FQA10N80C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 240W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-3PN, 900V, 11A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQA11N90C. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 130 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 270 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-3PN, 900V, 11A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQA11N90C_F109. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 130 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 270 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-3PN, 900V, 11.4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11.4A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQA 11N90. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.96 Ohms @ 5.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 140 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 340 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 9.5A, 15A, 10uA, 0.43 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=100°C): 9.5A. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.43 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1580pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 43nC). Protection G-S: non. Id(imp): 60A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 218W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Technologie DMOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-3PN, 800V, 12.6A, 1, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Boîtier (norme JEDEC): 1. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 800V. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQA13N80. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 130 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 320 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 155 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Id (T=100°C): 11.7A. Id (T=25°C): 18.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 600V. C (in): 2800pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 420 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Protection G-S: non. Id(imp): 74A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 65 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 12.5A, 24A, 10uA, 0.156 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V. Id (T=100°C): 12.5A. Id (T=25°C): 24A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.156 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3500pF. C (out): 520pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 90nC). Protection G-S: non. Id(imp): 96A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 290W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 80 ns. Technologie: Technologie DMOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 14.9A, 23.5A, 100uA, 0.18 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Id (T=100°C): 14.9A. Id (T=25°C): 23.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 600V. C (in): 4200pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 470 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 90nC). Protection G-S: non. Id(imp): 94A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 310W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: Technologie DMOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 23.3A, 33A, 10uA, 0.067 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 150V. Id (T=100°C): 23.3A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.067 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 150V. C (in): 1250pF. C (out): 260pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 40nC). Protection G-S: non. Id(imp): 132A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 227W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Technologie DMOS. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 39A, 62A, 100uA, 0.029 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 250V. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 62A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.029 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 250V. C (in): 4830pF. C (out): 945pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 340 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Protection G-S: non. Id(imp): 248A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 298W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 245 ns. Td(on): 75 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. Id (T=100°C): 49.5A. Id (T=25°C): 70A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.019 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 100V. C (in): 2500pF. C (out): 720pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 280A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 214W. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille (85nC typique). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Technologie DMOS. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Quantité par boîtier: 1 db. Spec.info: Low gate charge(typical 135nC). Unité de conditionnement: 30 db. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. C (in): 4150pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. C (out): 840pF. Protection drain-source: diode. Fonction: Commutation rapide. Protection G-S: NINCS. Tension grille/source Vgs: 25V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 70A. Idss (min): 1uA. Id(imp): 280A. Idss (maxi): 10uA. Nombre de connexions: 3 pièces. Résistance passante Rds On: 0.023 Ohms. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Dissipation de puissance maxi: 330W. Technologie: Technologie DMOS. ROHS: oui. Td(off): 340 ns. Td(on): 60 ns. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Tension Vds(max): 150V

Transistor canal N, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.12 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2100pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Protection G-S: non. Id(imp): 36A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: FQA9N90C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 280W. RoHS: oui. Poids: 4.7g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, ITO-3P, 900V, 7.2A, 30, 0.91 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-3P. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Boîtier (norme JEDEC): 30. Résistance passante Rds On: 0.91 Ohms. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension Vds(max): 900V. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQAF11N90C. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 130 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 270 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 120W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 9.8A, 15.6A, 10uA, 0.074 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. Id (T=100°C): 9.8A. Id (T=25°C): 15.6A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.074 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 670pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 62.4A. Idss (min): 1uA. Equivalences: FQD19N10LTM. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 20 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 15A, 24A, 10uA, 0.031 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 24A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.031 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 800pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 96A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 30N06L. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 44W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 55 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 3.67A, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. Id (T=100°C): 3.67A. Id (T=25°C): 23.2A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.258 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 220pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Faible charge de grille. Protection G-S: non. Id(imp): 5.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: FQD7N10L. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 17 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V