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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V - FQPF11N50CF

Transistor canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V - FQPF11N50CF
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1 - 4 5.18$ 5.44$
5 - 9 4.92$ 5.17$
10 - 24 4.77$ 5.01$
25 - 49 4.66$ 4.89$
50 - 53 4.56$ 4.79$
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1 - 4 5.18$ 5.44$
5 - 9 4.92$ 5.17$
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Transistor canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V - FQPF11N50CF. Transistor canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1515pF. C (out): 185pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 43nC, faible Crss 20pF. Protection G-S: non. Id(imp): 44A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 48W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 120ns. Td(on): 24 ns. Technologie: QFET ® FRFET ® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur Fairchild. Quantité en stock actualisée le 16/06/2025, 23:25.

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SPA11N80C3
Transistor canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3-1. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1600pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Protection G-S: non. Id(imp): 33A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 11N80C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 41W. Spec info: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
SPA11N80C3
Transistor canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3-1. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1600pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Protection G-S: non. Id(imp): 33A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 11N80C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 41W. Spec info: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Lot de 1
6.54$ TTC
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FQPF12N60C

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FQPF12N60C
Transistor canal N, 7.4A, 12A, 10uA, 0.53 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 7.4A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.53 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1760pF. C (out): 182pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 420 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast switch, Low gate charge 48nC, Low Crss 21pF. Protection G-S: non. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 51W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
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