Transistor canal N, 75A, Autre, Autre, 1200V - FS75R12KE3GBOSA1
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 414.59$ | 435.32$ |
| 2 - 2 | 393.86$ | 413.55$ |
| 3 - 4 | 385.57$ | 404.85$ |
| 5 - 9 | 377.28$ | 396.14$ |
| 10 - 14 | 373.13$ | 391.79$ |
| 15 - 19 | 368.98$ | 387.43$ |
| 20+ | 364.84$ | 383.08$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 414.59$ | 435.32$ |
| 2 - 2 | 393.86$ | 413.55$ |
| 3 - 4 | 385.57$ | 404.85$ |
| 5 - 9 | 377.28$ | 396.14$ |
| 10 - 14 | 373.13$ | 391.79$ |
| 15 - 19 | 368.98$ | 387.43$ |
| 20+ | 364.84$ | 383.08$ |
Transistor canal N, 75A, Autre, Autre, 1200V - FS75R12KE3GBOSA1. Transistor canal N, 75A, Autre, Autre, 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 5300pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Fonction: ICRM 150A Tp=1ms. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 100A. Ic(puls): 150A. Remarque: 6x IGBT+ CE Diode. Marquage sur le boîtier: FS75R12KE3G. Nombre de connexions: 35. Dimensions: 122x62x17.5mm. Dissipation de puissance maxi: 355W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 42us. Td(on): 26us. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.15V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Produit d'origine constructeur Eupec/infineon. Quantité en stock actualisée le 17/06/2025, 00:25.
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