Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 2.9A, 5A, 10uA, 1.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 2.9A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.14 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 480pF. C (out): 80pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 263 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 18nC, faible Crss 15pF. Protection G-S: non. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 38W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 2.6A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 515pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 15nC, faible Crss 6.5pF. Protection G-S: non. Id(imp): 18A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 33W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 46 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.57 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1290pF. C (out): 120pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 26.4A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 56W. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille (40nC typique), Low Crss 10pF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 37.5A, 53A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. Id (T=100°C): 37.5A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 60V. C (in): 3170pF. C (out): 1150pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 17nC, faible Crss 5.6pF. Protection G-S: non. Id(imp): 212A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 62W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 170 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, ITO-220, 1, 600V, 7.6A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-220. Boîtier (norme JEDEC): 1. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.6A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQPF8N60C. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 45 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 170 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1255pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 81 ns. Td(on): 16.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.29 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1580pF. C (out): 135pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 690 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Protection G-S: non. Date de production: 201432. Id(imp): 32A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 59W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 5.4A, 9A, 100uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 5.4A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 790pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 28nC, faible Crss 24pF. Protection G-S: non. Id(imp): 36A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 44W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 93 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: +55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.12 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2100pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 40nC, faible Crss 14pF. Protection G-S: non. Id(imp): 32A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 68W. RoHS: oui. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 250uA, 9.3 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 9.3 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 600V. C (in): 130pF. C (out): 19pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: FQT1N60C. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 13 ns. Td(on): 7 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 0.55A, 0.85A, 10uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. Id (T=100°C): 0.55A. Id (T=25°C): 0.85A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 200V. C (in): 240pF. C (out): 36pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 3.4A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 2.2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. Id (T=100°C): 10.9A. Id (T=25°C): 17.2A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.046 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 480pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 54 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 68.8A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 38W. RoHS: oui. Spec info: faible charge de porte (typ 9.5nC). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1500pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Protection G-S: oui. Id(imp): 30A. Idss (min): na. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 10A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=25°C): 10A. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ifsm--30App. Id(imp): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 65W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Transistor canal N, 12A, 12A, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 250V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 36A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Power MOSFET

Transistor canal N, 12A, 12A, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 250V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 36A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Power MOSFET

Transistor canal N, 75A, Autre, Autre, 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 5300pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Fonction: ICRM 150A Tp=1ms. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 100A. Ic(puls): 150A. Remarque: 6x IGBT+ CE Diode. Marquage sur le boîtier: FS75R12KE3G. Nombre de connexions: 35. Dimensions: 122x62x17.5mm. Dissipation de puissance maxi: 355W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 42us. Td(on): 26us. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.15V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 1.54 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1380pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH-SPEED SW.. Protection G-S: oui. Id(imp): 21A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 180 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 1200A, Autre, Autre, 1200V. Ic(T=100°C): 1200A. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 74pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Fonction: ICRM--Tp=1mS 2400A. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 1790A. Ic(puls): 2400A. Nombre de connexions: 7. Dissipation de puissance maxi: 7150W. RoHS: non. Spec info: VCE(sat) 1.7V (Ic=1200A, VGE=15V, 25°C). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.92 ns. Td(on): 0.41 ns. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de seuil Vf (max): 2.35V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.8V

Transistor canal N, 60A, 1uA, 5.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 5.3m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 1800pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2500. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation de puissance, convertisseurs DC/DC. Protection G-S: non. Id(imp): 200A. Idss (min): n/a. Marquage sur le boîtier: G60N04K. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.1V

Transistor canal N, 16A, 25A, 25uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1700pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor à commande de porte par niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 39W. RoHS: oui. Spec info: IDM--80A pulse. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P( GCE ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode CE: oui. Type de canal: N. Fonction: 'Current Resonance Inverter Switching'. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 100A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 400 ns. Td(on): 30 ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.1V

Transistor canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 600V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 4650pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Fonction: Applications de commutation haute puissance. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 60A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 170W. RoHS: oui. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.3 ns. Td(on): 0.09 ns. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.45V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V. Ic(T=100°C): 18A. Boîtier: TO-3P( N )IS. Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode CE: oui. Type de canal: N. Fonction: Applications de commutation haute puissance. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 37A. Ic(puls): 100A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.51 ns. Td(on): 0.33 ns. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.3V. Tension grille - émetteur VGE: 25V

Transistor canal N, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 35A. Ic(puls): 80A. Marquage sur le boîtier: 10N120BND. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 298W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 165 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: Transistor IGBT série NPT avec diode hyperrapide anti-parallèle. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.45V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.8V

Transistor canal N, TO-247, 23A, TO-247 ( AC ), 600V. Boîtier: TO-247. Ic(T=100°C): 23A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. RoHS: oui. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Diode au Germanium: non. Date de production: 2014/17. Courant de collecteur: 54A. Ic(puls): 96A. Marquage sur le boîtier: 12N60A4D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 167W. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 96 ns. Td(on): 17 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.6V