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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - 2SK3562

Transistor canal N, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - 2SK3562
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Quantité HT TTC
1 - 4 3.26$ 3.42$
5 - 9 3.10$ 3.26$
10 - 24 3.00$ 3.15$
25 - 49 2.93$ 3.08$
50 - 80 2.87$ 3.01$
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1 - 4 3.26$ 3.42$
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Transistor canal N, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - 2SK3562. Transistor canal N, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 6A. Idss: 100uA. Idss (maxi): 6A. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1050pF. C (out): 110pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Protection G-S: oui. Id(imp): 24A. Marquage sur le boîtier: K3562. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Produit d'origine constructeur Toshiba. Quantité en stock actualisée le 15/06/2025, 16:25.

Documentation technique

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Transistor canal N, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 800pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Protection G-S: non. Id(imp): 24A. Marquage sur le boîtier: K6A60D. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
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