Transistor canal N, 2.6A, 4.1A, 500uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V - IRFBE30

Quantité	HT	TTC
1 - 4	3.21$	3.37$
5 - 9	3.04$	3.19$
10 - 24	2.88$	3.02$
25 - 49	2.72$	2.86$
50 - 99	2.66$	2.79$
100 - 112	2.39$	2.51$

Quantité	U.P
1 - 4	3.21$	3.37$
5 - 9	3.04$	3.19$
10 - 24	2.88$	3.02$
25 - 49	2.72$	2.86$
50 - 99	2.66$	2.79$
100 - 112	2.39$	2.51$

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Transistor canal N, 2.6A, 4.1A, 500uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V - IRFBE30. Transistor canal N, 2.6A, 4.1A, 500uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. Id (T=100°C): 2.6A. Id (T=25°C): 4.1A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1300pF. C (out): 310pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 16A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 82 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 19:25.

Documentation technique