Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 4.33$ | 4.55$ |
5 - 9 | 4.11$ | 4.32$ |
10 - 24 | 3.89$ | 4.08$ |
25 - 49 | 3.68$ | 3.86$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 4.33$ | 4.55$ |
5 - 9 | 4.11$ | 4.32$ |
10 - 24 | 3.89$ | 4.08$ |
25 - 49 | 3.68$ | 3.86$ |
Transistor canal N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V - STP6NK90Z. Transistor canal N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. Id (T=100°C): 3.65A. Id (T=25°C): 5.8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.56 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1350pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 840 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P6NK90Z. Dissipation de puissance maxi: 140W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 14:25.
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