Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.10$ | 1.16$ |
5 - 9 | 1.05$ | 1.10$ |
10 - 24 | 0.99$ | 1.04$ |
25 - 49 | 0.94$ | 0.99$ |
50 - 99 | 0.91$ | 0.96$ |
100 - 249 | 0.95$ | 1.00$ |
250 - 1230 | 1.20$ | 1.26$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.10$ | 1.16$ |
5 - 9 | 1.05$ | 1.10$ |
10 - 24 | 0.99$ | 1.04$ |
25 - 49 | 0.94$ | 0.99$ |
50 - 99 | 0.91$ | 0.96$ |
100 - 249 | 0.95$ | 1.00$ |
250 - 1230 | 1.20$ | 1.26$ |
Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -100V, -4A, TO-220, TO-220AB, 100V, 1 - IRF9510PBF. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -100V, -4A, TO-220, TO-220AB, 100V, 1. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. Boîtier (norme JEDEC): 1. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF9510PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 43W. Td(on): 10 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 04:25.
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