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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB4227

Transistor canal N, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB4227
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5 - 9 5.57$ 5.85$
10 - 24 5.28$ 5.54$
25 - 49 4.98$ 5.23$
50 - 72 4.87$ 5.11$
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1 - 4 5.86$ 6.15$
5 - 9 5.57$ 5.85$
10 - 24 5.28$ 5.54$
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Transistor canal N, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB4227. Transistor canal N, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 46A. Id (T=25°C): 65A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 19.7m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 4600pF. C (out): 460pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutateur PDP. Id(imp): 260A. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 21 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 13:25.

Documentation technique

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