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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor canal N, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF530

Transistor canal N, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF530
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Transistor canal N, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF530. Transistor canal N, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 670pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 56A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 88W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 23 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 22:25.

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