Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 6.12$ | 6.43$ |
5 - 9 | 5.82$ | 6.11$ |
10 - 24 | 5.51$ | 5.79$ |
25 - 49 | 5.20$ | 5.46$ |
50 - 99 | 4.84$ | 5.08$ |
100 - 145 | 4.55$ | 4.78$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 6.12$ | 6.43$ |
5 - 9 | 5.82$ | 6.11$ |
10 - 24 | 5.51$ | 5.79$ |
25 - 49 | 5.20$ | 5.46$ |
50 - 99 | 4.84$ | 5.08$ |
100 - 145 | 4.55$ | 4.78$ |
Transistor canal N, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V - IRFP064N. Transistor canal N, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. Id (T=100°C): 59A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 4000pF. C (out): 1300pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 390A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 10:25.
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