Transistor canal N, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF3205

Quantité	HT	TTC
1 - 4	3.03$	3.18$
5 - 9	2.88$	3.02$
10 - 24	2.73$	2.87$
25 - 49	2.58$	2.71$
50 - 99	2.35$	2.47$
100 - 249	2.29$	2.40$
250 - 496	2.18$	2.29$

Quantité	U.P
1 - 4	3.03$	3.18$
5 - 9	2.88$	3.02$
10 - 24	2.73$	2.87$
25 - 49	2.58$	2.71$
50 - 99	2.35$	2.47$
100 - 249	2.29$	2.40$
250 - 496	2.18$	2.29$

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Transistor canal N, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF3205. Transistor canal N, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3247pF. C (out): 781pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Advanced Process Technology'. Id(imp): 390A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 16:25.

Documentation technique