Transistor canal N, 2.3A, 3.6A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - IRFBC30

Quantité	HT	TTC
1 - 4	2.08$	2.18$
5 - 9	1.98$	2.08$
10 - 24	1.87$	1.96$
25 - 49	1.77$	1.86$
50 - 99	1.73$	1.82$
100 - 102	1.52$	1.60$

Quantité	U.P
1 - 4	2.08$	2.18$
5 - 9	1.98$	2.08$
10 - 24	1.87$	1.96$
25 - 49	1.77$	1.86$
50 - 99	1.73$	1.82$
100 - 102	1.52$	1.60$

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Transistor canal N, 2.3A, 3.6A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - IRFBC30. Transistor canal N, 2.3A, 3.6A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 3.6A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 2.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 660pF. C (out): 86pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 370 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 14A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 10:25.

Documentation technique