Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-247, TO-247-3, 100V. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-3. Tension Vds(max): 100V. C (in): 6000pF. C (out): 820pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 64 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC et onduleurs UPS. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 310W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 500V, 45A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FDH45N50F. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 140 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 215 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6630pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Quantité par boîtier: 1 db. Unité de conditionnement: 30 db. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. C (in): 3565pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. C (out): 1310pF. Protection drain-source: Diode Zéner. Protection G-S: NINCS. Tension grille/source Vgs: 20V. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 75A. Idss (min): 1uA. Idss (maxi): 250uA. Marquage sur le boîtier: FDH5500. Nombre de connexions: 3 pièces. Résistance passante Rds On: 5.2m Ohms. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Dissipation de puissance maxi: 375W. Technologie: UltraFET Power MOSFET. ROHS: oui. Td(off): 34 ns. Td(on): 13.7 ns. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Tension Vds(max): 55V

Transistor canal N, 7.5A, 7.5A, SMD, Power-56-8, 30 v. Id (T=25°C): 7.5A. Idss (maxi): 7.5A. Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): Power-56-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 2. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 7.5A, Rds-on 0.013 Ohms (Q1). Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Spec info: 7.5A, Rds-on 0.0215 Ohms (Q2). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: double transistor MOSFET canal N. 30V. 'PowerTrench MOSFET'

Transistor canal N, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 10.8A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.22 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2200pF. C (out): 330pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 72A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 235W. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 95 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: N-Channel MOSFET (UniFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 56A, 79A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V, 150V, TO-220AB. Id (T=100°C): 56A. Id (T=25°C): 79A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. Tension drain - source (Vds): 150V. Boîtier: TO-220AB. Type de canal: N. Fonction: convertisseur de tension DC/DC et onduleurs UPS. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 310W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Courant de drain maxi: 79A. Puissance: 310W

Transistor canal N, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 6000pF. C (out): 820pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 64 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC et onduleurs UPS. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 310W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 43A, 61A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 61A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 2880pF. C (out): 3990pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 62 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC et onduleurs UPS. Protection G-S: non. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 26 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 6.9A, 11.5A, 10uA, 0.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.46 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 945pF. C (out): 155pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 315 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: oui. Id(imp): 46A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 42W. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille (23nC typique), Low Crss 14pF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: UniFET TM II MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 3A, 5A, 10uA, 1.15 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.15 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 480pF. C (out): 66pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 28W. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille (11nC typique), Low Crss 5pF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 28 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 3A, 5A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 720pF. C (out): 95pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 20A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31.5W. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille (12nC typique), Low Crss 9pF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: UniFET Ultra FRMOS MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 13A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: FDS6670A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 13A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 64 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2220pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 9.8m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1205pF. C (out): 290pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2500. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commande par niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 28 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 8.2A/6.9A, 8.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.2A/6.9A. Boîtier (norme JEDEC): 8.2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: FDS6900AS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms / 0.038 Ohms @ 8.2/6.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 570pF/600pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 6A/6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/6A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: FDS6912. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms/0.028 Ohms @ 6A/6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 740pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 8.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 19m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 475pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 40A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 42 ns. Td(on): 5 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.2V

Transistor canal N, 5.4A, SO, SO-8. Id (T=100°C): 5.4A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 2. Trr Diode (Min.): 15 ns. Fonction: Rds-on 0.030 Ohms. Protection G-S: non. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 25V, 0.22A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 301. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 301. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 8 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 9.5pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 25V, 0.68A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.68A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 303. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.44 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. C (in): 3700pF. Diode CE: VAN. Type de canal: N. Courant de collecteur: 50A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (out): 130pF. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7.5V. Diode au Germanium: NINCS. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Ic(T=100°C): 25A. Ic(puls): 90A. Marquage sur le boîtier: FGA25N120ANTD. Nombre de connexions: 3 pièces. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Dissipation de puissance maxi: 312W. ROHS: oui. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Td(off): 190 ns. Td(on): 50 ns. Trr Diode (Min.): 235 ns

Transistor canal N, 30A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 5140pF. C (out): 150pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 730 ns. Fonction: High speed switching, Soft switching applications. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 90A. Marquage sur le boîtier: FGA30N120FTD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 339W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 198 ns. Td(on): 31 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Tension grille - émetteur VGE: 25V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7.5V

Transistor canal N, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 650V. C (in): 2915pF. C (out): 270pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 47ms. Fonction: onduleur solaire, UPS, Poste de soudage, PFC, Télécom, ESS. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 600W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 104 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: 'Field Stop IGBT'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2-PAK. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 940pF. C (out): 110pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Fonction: onduleur solaire, UPS, poste à souder, PFC. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 60A. Remarque: transistor IGBT MOS canal N. Marquage sur le boîtier: FGB20N60SF. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 90 ns. Td(on): 12 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2110pF. C (out): 200pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 45 ns. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Marquage sur le boîtier: FGH40N60SFD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 290W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 115 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.9V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1880pF. C (out): 180pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 70 ns. Fonction: onduleur solaire, UPS, Poste de soudage, PFC, Télécom, ESS. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 349W. RoHS: oui. Spec info: Ic 80A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 120A (pulsed). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 92 ns. Td(on): 12 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V