Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 8.2A, 30 v, 8.2A/6.9A - FDS6900AS

Quantité	HT	TTC
1 - 4	3.25$	3.41$
5 - 9	3.09$	3.24$
10 - 24	2.93$	3.08$
25 - 49	2.76$	2.90$
50 - 99	2.70$	2.84$
100 - 107	2.92$	3.07$

Quantité	U.P
1 - 4	3.25$	3.41$
5 - 9	3.09$	3.24$
10 - 24	2.93$	3.08$
25 - 49	2.76$	2.90$
50 - 99	2.70$	2.84$
100 - 107	2.92$	3.07$

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Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 8.2A, 30 v, 8.2A/6.9A - FDS6900AS. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 8.2A, 30 v, 8.2A/6.9A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): 8.2A. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.2A/6.9A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: FDS6900AS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms / 0.038 Ohms @ 8.2/6.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 570pF/600pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 08:25.

Documentation technique