Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 13A - FDS6670A
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.28$ | 4.49$ |
| 5 - 9 | 4.06$ | 4.26$ |
| 10 - 24 | 3.85$ | 4.04$ |
| 25 - 49 | 3.63$ | 3.81$ |
| 50 - 69 | 3.55$ | 3.73$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.28$ | 4.49$ |
| 5 - 9 | 4.06$ | 4.26$ |
| 10 - 24 | 3.85$ | 4.04$ |
| 25 - 49 | 3.63$ | 3.81$ |
| 50 - 69 | 3.55$ | 3.73$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 13A - FDS6670A. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 13A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: FDS6670A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 13A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 64 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2220pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 21:25.
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