Transistor canal N, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO, SO-8, 30 v - FDS8884

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.95$	1.00$
5 - 9	0.91$	0.96$
10 - 24	0.86$	0.90$
25 - 49	0.81$	0.85$
50 - 99	0.79$	0.83$
100 - 249	0.77$	0.81$
250 - 2192	0.73$	0.77$

Quantité	U.P
1 - 4	0.95$	1.00$
5 - 9	0.91$	0.96$
10 - 24	0.86$	0.90$
25 - 49	0.81$	0.85$
50 - 99	0.79$	0.83$
100 - 249	0.77$	0.81$
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Transistor canal N, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO, SO-8, 30 v - FDS8884. Transistor canal N, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 8.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 19m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 475pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 42 ns. Td(on): 5 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.2V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 23:25.

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