Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 30 milliOhms, SO, PG-DSO20. Résistance passante Rds On: 30 milliOhms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): PG-DSO20. Fonction: 'Smart High-Side Power Switch'. Sortie: 2db N-MOS 43V 5.5A. Nombre de connexions: 20. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). VCC: 5...34V

Transistor canal N, 7.5A, 13.5A, 13.5A, 0.12 Ohms, 50V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 13.5A. Idss (maxi): 13.5A. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Tension Vds(max): 50V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Remarque: niveau logique. Dissipation de puissance maxi: 40W. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 20uA. Résistance passante Rds On: 2.1 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 750pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Power MOSFET SMPS. Protection G-S: non. Id(imp): 16A. Idss (min): 2uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 10 ns. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 61A, 75A, 1uA, 0.009 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V. Id (T=100°C): 61A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-404. Tension Vds(max): 55V. C (in): 2230pF. C (out): 510pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 62 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 347A. Idss (min): 0.05uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 166W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 84 ns. Td(on): 18 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 38A, 54A, 10uA, 17m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V. Id (T=100°C): 38A. Id (T=25°C): 54A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 17m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-404. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1200pF. C (out): 290pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 217A. Idss (min): 0.05uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 118W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 70 ns. Td(on): 15 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.064 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): SOT-78 ( TO220AB ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 440pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: automobile, commutation de puissance, moteur 12 V et 24 V. Protection G-S: non. Id(imp): 81A. Idss (min): 0.05uA. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 62W. RoHS: oui. Spec info: IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 28 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchMOS logic level POWER MOSFET. Tension grille/source Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V. Id (T=100°C): 37A. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Résistance passante Rds On: 0.018 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): P-TO263-3-2. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1220pF. C (out): 410pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: SIPMOS, PowerMosfet. Température de fonctionnement: -55...+175°C

Transistor canal N, 19A, 30A, 100uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220AC, 50V. Id (T=100°C): 19A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension Vds(max): 50V. C (in): 1500pF. C (out): 750pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 180 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 32A, 42A, 42A, 0.028 Ohms, 50V. Id (T=100°C): 32A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 42A. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Tension Vds(max): 50V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 125W. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, 22A, 39A, 39A, 40m Ohms, 50V. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 39A. Idss (maxi): 39A. Résistance passante Rds On: 40m Ohms. Tension Vds(max): 50V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Remarque: 250/500ns. Dissipation de puissance maxi: 125W. Technologie: V-MOS S/L

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 100V, 34A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 34A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUZ22. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 34A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 300 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1850pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 2.6A, 2.6A, 1000V. Id (T=25°C): 2.6A. Idss (maxi): 2.6A. Tension Vds(max): 1000V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 78W. Technologie: V-MOS L

Transistor canal N, 7A, 13A, 13A, 0.12 Ohms, 60V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 13A. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 40W. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 330pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 44A. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUZ73LH. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 1.5A, 2.4A, 2.4A, 3 Ohms, 500V. Id (T=100°C): 1.5A. Id (T=25°C): 2.4A. Idss (maxi): 2.4A. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Tension Vds(max): 500V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 40W. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, 2A, 3A, 3A, 1.8 Ohms, 400V. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 3A. Résistance passante Rds On: 1.8 Ohms. Tension Vds(max): 400V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Remarque: <57/115ns. Dissipation de puissance maxi: 40W. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 400V, 2.7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUZ76A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 650pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 1.7A, 2.7A, 2.7A, 4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 1.7A. Id (T=25°C): 2.7A. Idss (maxi): 2.7A. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: <50/105ns. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 1.7A. Id (T=25°C): 2.9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 460pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 350 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(imp): 11.5A. Idss (min): 0.1uA. Dissipation de puissance maxi: 75W. Td(off): 50 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V. Id (T=100°C): 1.5A. Id (T=25°C): 2.1A. Idss (maxi): 2.1A. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Remarque: <100/220ns. Dissipation de puissance maxi: 40W. Technologie: V-MOS (F)

Transistor canal N, 3.2A, 3.2A, 800V. Id (T=25°C): 3.2A. Idss (maxi): 3.2A. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: V-MOS. Dissipation de puissance maxi: 78W

Transistor canal N, 2.8A, 4.5A, 4.5A, 1.6 Ohms, 600V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 4.5A. Résistance passante Rds On: 1.6 Ohms. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 75W. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 4A. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Transistor canal N, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, 600V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 4A. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 35W. Technologie: TO-220F