Transistors IGBT

Transistor IGBT. C (in): 9830pF. C (out): 570pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Fonction: IGBT haute vitesse pour la commutation 20-50kHz. Courant de collecteur: 310A. Ic(puls): 840A. Ic(T=100°C): 140A. Marquage sur le boîtier: IXYK140N90C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1630W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 145 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: XPT™ 650V IGBT, GenX3™. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.15V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 900V. Tension grille - émetteur VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 840A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SGH80N60UF. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 80A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6.5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 195W. Courant de collecteur maxi (A): 220A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G30N60HS. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 122 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Courant de collecteur maxi (A): 112A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SGW25N120. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 46A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 990 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 313W. Courant de collecteur maxi (A): 84A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G30N60. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 53 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 389 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Courant de collecteur maxi (A): 112A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G30N60HS. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 122 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Courant de collecteur maxi (A): 112A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): tube en plastique. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 106 ns. Td(on): 16 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: K30N60HS. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Courant de collecteur maxi (A): 112A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 106 ns. Td(on): 16 ns. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V

Transistor IGBT. C (in): 2870pF. C (out): 295pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 45 ns. Fonction: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Courant de collecteur: 70A. Ic(puls): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Marquage sur le boîtier: GW20NC60KD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 164 ns. Td(on): 46 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor IGBT. C (in): 8000pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 74 ns. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marquage sur le boîtier: GW60V60DF. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 375W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 216 ns. Td(on): 57 ns. Boîtier: TO-247. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non