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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers

Transistors IGBT

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SKW30N60HS

SKW30N60HS

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra ra...
SKW30N60HS
Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: K30N60HS. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Courant de collecteur maxi (A): 112A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
SKW30N60HS
Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: K30N60HS. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Courant de collecteur maxi (A): 112A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 1
21.55$ TTC
(20.52$ HT)
21.55$
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STGW40NC60KD

STGW40NC60KD

Transistor IGBT. C (in): 2870pF. C (out): 295pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: t...
STGW40NC60KD
Transistor IGBT. C (in): 2870pF. C (out): 295pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 45 ns. Fonction: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 70A. Ic(puls): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Marquage sur le boîtier: GW20NC60KD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 164 ns. Td(on): 46 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V
STGW40NC60KD
Transistor IGBT. C (in): 2870pF. C (out): 295pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 45 ns. Fonction: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 70A. Ic(puls): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Marquage sur le boîtier: GW20NC60KD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 164 ns. Td(on): 46 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V
Lot de 1
12.67$ TTC
(12.07$ HT)
12.67$
Quantité en stock : 25
STGW60V60DF

STGW60V60DF

Transistor IGBT. C (in): 8000pF. C (out): 280pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: t...
STGW60V60DF
Transistor IGBT. C (in): 8000pF. C (out): 280pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 74 ns. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marquage sur le boîtier: GW60V60DF. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 375W. RoHS: oui. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 216 ns. Td(on): 57 ns. Boîtier: TO-247. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V
STGW60V60DF
Transistor IGBT. C (in): 8000pF. C (out): 280pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 74 ns. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marquage sur le boîtier: GW60V60DF. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 375W. RoHS: oui. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 216 ns. Td(on): 57 ns. Boîtier: TO-247. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V
Lot de 1
17.34$ TTC
(16.51$ HT)
17.34$
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