Transistor IGBT STGW40NC60KD

Quantité	HT	TTC
1 - 1	12.07$	12.67$
2 - 2	11.47$	12.04$
3 - 4	10.87$	11.41$
5 - 9	10.26$	10.77$
10 - 19	10.02$	10.52$
20 - 23	9.78$	10.27$

Quantité	U.P
1 - 1	12.07$	12.67$
2 - 2	11.47$	12.04$
3 - 4	10.87$	11.41$
5 - 9	10.26$	10.77$
10 - 19	10.02$	10.52$
20 - 23	9.78$	10.27$

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Transistor IGBT STGW40NC60KD. Transistor IGBT. C (in): 2870pF. C (out): 295pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 45 ns. Fonction: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Courant de collecteur: 70A. Ic(puls): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Marquage sur le boîtier: GW20NC60KD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 164 ns. Td(on): 46 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 19:25.

Documentation technique