Transistors IGBT

Transistor IGBT. RoHS: non. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-218. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUP313. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 32A. Courant de collecteur maxi (A): 64A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 530 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6.5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. Type de transistor: transistor IGBT. Tension collecteur – émetteur: 1200V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3P

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FGA40N65SMD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 650V. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Courant de collecteur maxi (A): 60.4k Ohms. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 120ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 174W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-264. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FGL40N120AND. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Courant de collecteur maxi (A): 160A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5.5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 500W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): tube en plastique. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 20 ns. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264-3L. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.9V...3.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 25V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7.5V

Transistor IGBT. RoHS: oui. Boîtier: TO-247. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: SMPS Series IGBT. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 70A. Ic(puls): 280A. Ic(T=100°C): 40A. Remarque: transistor IGBT MOS canal N. Marquage sur le boîtier: 20N60A4. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 290W. Spec info: 290W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 73 ns. Td(on): 15 ns. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 20N60A4D. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 70A. Courant de collecteur maxi (A): 280A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 73 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 7V. Dissipation maximale Ptot [W]: 290W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): 35 ns. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: HG20N60B3. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Courant de collecteur maxi (A): 160A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 220 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 165W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): UFS Series IGBT. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G03H1202. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 3A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 281 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.9V. Dissipation maximale Ptot [W]: 62.5W. Courant de collecteur maxi (A): 9.9A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. Type de transistor: transistor IGBT. Tension drain - source: 1200V. Courant de collecteur: 50A. Puissance: 326W. Boîtier: TO-247AC

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G60T120. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 60A. Courant de collecteur maxi (A): 150A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 50 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 480 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6.5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 375W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): non. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor IGBT. C (in): 1800pF. C (out): 55pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: cuisson par induction, fours à micro-ondes. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Marquage sur le boîtier: H30MR5. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 330 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO247-3. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.55V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.85V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V

Transistor IGBT. Type de transistor: transistor IGBT. Tension collecteur – émetteur: 600V. Courant de collecteur: 40A. Puissance: 305W. Boîtier: TO-247AC

Transistor IGBT. Type de transistor: transistor IGBT. Tension collecteur – émetteur: 600V. Courant de collecteur: 24A. Puissance: 110W. Boîtier: TO-220AB

Transistor IGBT. Type de transistor: transistor IGBT. Tension drain - source: 1200V. Courant de collecteur: 50A. Puissance: 326W. Boîtier: TO-247AC. Diode intégrée: oui

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: K25T1202. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 25A. Courant de collecteur maxi (A): 100A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 27 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 265 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6.4V. Dissipation maximale Ptot [W]: 349W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor IGBT. Type de transistor: transistor IGBT. Tension collecteur – émetteur: 1200V. Courant de collecteur: 82A. Puissance: 428W. Boîtier: TO-247AC. Diode intégrée: oui

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC20FD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 16A. Courant de collecteur maxi (A): 64A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 43 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 240 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC20KD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 16A. Courant de collecteur maxi (A): 32A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 54 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 180 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Td(off): 180 ns. Td(on): 54 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 ( AB ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.27V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor IGBT. RoHS: non. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC20S. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 19A. Courant de collecteur maxi (A): 38A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 27 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 540 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC20S. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 10A. Courant de collecteur maxi (A): 38A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 27 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 540 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC20UD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 13A. Courant de collecteur maxi (A): 52A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 39 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 93 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC20U. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 13A. Courant de collecteur maxi (A): 52A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 21 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 86 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC30FD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 31A. Courant de collecteur maxi (A): 60.4k Ohms. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 42 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 230 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC30KD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 28A. Courant de collecteur maxi (A): 56A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 160 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC30S. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 34A. Courant de collecteur maxi (A): 68A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 22 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 540 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C