Transistor IGBT STGW60V60DF
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 16.51$ | 17.34$ |
| 2 - 2 | 15.68$ | 16.46$ |
| 3 - 4 | 14.86$ | 15.60$ |
| 5 - 9 | 14.03$ | 14.73$ |
| 10 - 14 | 13.70$ | 14.39$ |
| 15 - 19 | 13.37$ | 14.04$ |
| 20 - 33 | 12.88$ | 13.52$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 16.51$ | 17.34$ |
| 2 - 2 | 15.68$ | 16.46$ |
| 3 - 4 | 14.86$ | 15.60$ |
| 5 - 9 | 14.03$ | 14.73$ |
| 10 - 14 | 13.70$ | 14.39$ |
| 15 - 19 | 13.37$ | 14.04$ |
| 20 - 33 | 12.88$ | 13.52$ |
Transistor IGBT STGW60V60DF. Transistor IGBT. C (in): 8000pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 74 ns. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marquage sur le boîtier: GW60V60DF. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 375W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 216 ns. Td(on): 57 ns. Boîtier: TO-247. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 19:25.
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