Transistor IGBT IKW25N120T2
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 21.72$ | 22.81$ |
| 2 - 2 | 20.64$ | 21.67$ |
| 3 - 4 | 20.20$ | 21.21$ |
| 5 - 9 | 19.55$ | 20.53$ |
| 10 - 14 | 19.12$ | 20.08$ |
| 15 - 19 | 18.46$ | 19.38$ |
| 20 - 389 | 17.81$ | 18.70$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 21.72$ | 22.81$ |
| 2 - 2 | 20.64$ | 21.67$ |
| 3 - 4 | 20.20$ | 21.21$ |
| 5 - 9 | 19.55$ | 20.53$ |
| 10 - 14 | 19.12$ | 20.08$ |
| 15 - 19 | 18.46$ | 19.38$ |
| 20 - 389 | 17.81$ | 18.70$ |
Transistor IGBT IKW25N120T2. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: K25T1202. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 25A. Courant de collecteur maxi (A): 100A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 27 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 265 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6.4V. Dissipation maximale Ptot [W]: 349W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur Infineon. Quantité en stock actualisée le 13/06/2025, 12:25.
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