Transistor IGBT IRG4BC20KDPBF

Quantité	HT	TTC
1 - 1	6.39$	6.71$
2 - 2	6.07$	6.37$
3 - 4	5.87$	6.16$
5 - 9	5.75$	6.04$
10 - 19	7.10$	7.46$
20 - 29	7.58$	7.96$
30 - 47	7.54$	7.92$

Quantité	U.P
1 - 1	6.39$	6.71$
2 - 2	6.07$	6.37$
3 - 4	5.87$	6.16$
5 - 9	5.75$	6.04$
10 - 19	7.10$	7.46$
20 - 29	7.58$	7.96$
30 - 47	7.54$	7.92$

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Transistor IGBT IRG4BC20KDPBF. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC20KD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 16A. Courant de collecteur maxi (A): 32A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 54 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 180 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Td(off): 180 ns. Td(on): 54 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 ( AB ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.27V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Produit d'origine constructeur International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 13/06/2025, 12:25.

Documentation technique

Transistor IGBT IRG4BC20KDPBF

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