Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 30mA, 4mA, SOT-143, SOT-143, 20V. Id (T=25°C): 30mA. Idss (maxi): 4mA. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. Tension Vds(max): 20V. C (in): 2.3pF. C (out): 0.8pF. Quantité par boîtier: 1. Fonction: transistor MOSFET N. Idss (min): 2mA. Remarque: sérigraphie/code CMS MH. Marquage sur le boîtier: MH. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 200mW. Montage/installation: composant monté en surface (CMS)

Transistor canal N, 30mA, 15mA, SOT-143, SOT-143, 12V. Id (T=25°C): 30mA. Idss (maxi): 15mA. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. Tension Vds(max): 12V. C (in): 2.1pF. C (out): 1.1pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications VHF et UHF avec tension d'alimentation 12V. Protection G-S: non. Idss (min): 5mA. Marquage sur le boîtier: MOS. Nombre de connexions: 4. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200mW. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Température de fonctionnement: -55...+150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-143B, 12V, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-143B. Tension drain-source Uds [V]: 12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: BF998. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2.5pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 25V, 5mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 5mA. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: M2. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. Id (T=25°C): 120mA. Idss (maxi): 30nA. Résistance passante Rds On: 15 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 200V. C (in): 85pF. C (out): 20pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Diode Tff(25°C): 8 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 2A. Marquage sur le boîtier: BS107. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 1, 200V, 250mA, TO-92, 200V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): 1. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 250mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 200V. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BS107A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 12 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: (D-S) MOSFETs. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. Id (T=25°C): 0.5A. Idss (maxi): 10nA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 60V. C (in): 24pF. C (out): 40pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Protection G-S: non. Id(imp): 1.2A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: BS170. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Petits signaux. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 60V, 0.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BS170G. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 60V, 0.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BS170_D27Z. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 24pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.83W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, Autre, Autre, 600V. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode CE: oui. Type de canal: N. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 30A. Nombre de connexions: 24. Dimensions: 107.5x45x17mm. Dissipation de puissance maxi: 700W. RoHS: oui. Spec info: 7x IGBT. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 250 ns. Td(on): 50 ns. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.95V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 0.1A, 0.1A, 15 Ohms, 50V. Id (T=25°C): 0.1A. Idss (maxi): 0.1A. Résistance passante Rds On: 15 Ohms. Tension Vds(max): 50V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Remarque: 5ns...20ns. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Technologie: D-MOS Log.L

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.173A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.173A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSN20. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 15 Ohms @ 0.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 25pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.83W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

ROHS: nem. Boîtier: SOT23

Transistor canal N, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. Id (T=100°C): 4.4A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 100nA. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 250pF. C (out): 88pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 24A. Idss (min): 10nA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 8.3W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 21 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 600V, 0.12A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.12A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP125. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 45 Ohms @ 0.12A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 130pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.7W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 600V, 0.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP135. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 60 Ohms @ 0.01A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.1V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 146pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 60V, 1.8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.8A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP295. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 1.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 41 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 368pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 200V, 0.6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP297. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 0.65A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 160 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 240V, 0.35A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.35A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP89. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.35A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 24 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 140pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. Id (T=25°C): 150mA. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3.5 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 23pF. C (out): 6pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: sérigraphie/code CMS SA. Protection G-S: non. Id(imp): 600mA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: SA. Equivalences: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100V, 0.19A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.19A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 'SAs'. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ 0.15A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3.5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 11 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 20.9pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100V, 0.17A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SA. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.17A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 40pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. Id (T=25°C): 170mA. Idss (maxi): 46.4k Ohms. Résistance passante Rds On: 6 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 20pF. C (out): 9pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: sérigraphie/code CMS SA. Protection G-S: non. Id(imp): 680mA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: SA. Equivalences: BSS123-7-F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 225mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Mode d'amélioration du niveau logique transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.6V. Vgs(th) min.: 1.6V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236AB, 100V, 0.17A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SA. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.6V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 20pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 600V, 0.021A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.021A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SHS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 500 Ohms @ 0.016A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.7V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 28pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C