Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 8.4A. Id (T=25°C): 10.4A. Idss: 10uA. Idss (maxi): 10.4A. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 450pF. C (out): 120pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 20 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide, convertisseur DC/DC. Protection G-S: non. Id(imp): 40A. Marquage sur le boîtier: 4800C G M. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 17 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Power MOSFET'

Transistor canal N, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. Id (T=100°C): 48A. Id (T=25°C): 48A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 48m Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 300V. C (in): 8440pF. C (out): 1775pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 160A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 88N30W. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 312W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 220 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: 'Enhancement-Mode Power MOSFET'. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 20A, 32A, 250uA, 0.02 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 1170pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, onduleurs, alimentations. Protection G-S: non. Id(imp): 150A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 9962GH. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 27.8W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 20 ns. Td(on): 8 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, DIP, DIP-8. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 2. Fonction: MOS-N-FET. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Spec info: 0.050R (50m Ohms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Transistor canal N, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1700pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, onduleurs, alimentations. Protection G-S: non. Id(imp): 90A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 9971GH. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 39W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 14A, 23A, 25uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220CFM, 60V. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220CFM. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1700pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: NO. Id(imp): 80A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 4A, 7A, 0.050R (50m Ohms), SO, SO-8, 60V. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 7A. Résistance passante Rds On: 0.050R (50m Ohms). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 2. Fonction: tf 5.5ns, td(on) 9.6ns, td(off) 30ns. Id(imp): 28A. Marquage sur le boîtier: 9971GM. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 4W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension grille/source Vgs: 20V

Transistor canal N, 4A, 4A, SOT-89, SOT-89, 20V. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 4A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension Vds(max): 20V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: td(on) 12ns. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Enhancement Mode MOSFET'

Transistor canal N, 27A, TO-247, TO-247, 600V. Ic(T=100°C): 27A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1685pF. C (out): 210pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 55ms. Fonction: Alimentations à découpage haute fréquence. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 56A. Ic(puls): 65A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 29 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: POWER MOS 7® IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 41A, 1000uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. Id (T=25°C): 41A. Idss (maxi): 1000uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT-227 ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 4360pF. C (out): 895pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 280 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide, faible fuite. Protection G-S: non. Id(imp): 164A. Idss (min): 250uA. Dissipation de puissance maxi: 378W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: Power MOS 7 FREDFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT-227 ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 7400pF. C (out): 1000pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 620 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide, faible fuite. Protection G-S: non. Id(imp): 176A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 450W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 54 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Power MOSV. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v

Transistor canal N, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2600pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide, faible fuite. Protection G-S: non. Id(imp): 48A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 260W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power MOSV. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-343, 5V, 0.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-343. Tension drain-source Uds [V]: 5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: 5Fx. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 0.37V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.27W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N. Quantité par boîtier: 1. Remarque: TU

Transistor canal N. Type de transistor: transistor FET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 2mA. Courant de drain maxi: TO-92

Transistor canal N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 15mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4pF. C (out): 1.6pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Fonction: HF-VHF. Protection G-S: non. Idss (min): 6mA. IGF: 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Tension grille/source VGS (off) max.: 3.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1.6V

Transistor canal N, 25mA, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 25mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4pF. C (out): 1.6pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Fonction: HF-VHF. Protection G-S: non. Idss (min): 12mA. IGF: 10mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor à effet de champ. Tension grille/source Vgs: 8V. Tension grille/source VGS (off) max.: 7.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-92, AM/FM/VHF, 25V, 10mA, TO-92, 39V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): AM/FM/VHF. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 39V. RoHS: non. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BF246A. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -14.5V @ +15V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 14.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.6V

Transistor canal N, 13mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (maxi): 13mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Fonction: pour amplificateurs RF VHF/UHF. Idss (min): 6mA. IGF: 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 350W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 0.5V

Transistor canal N, 18mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (maxi): 18mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Fonction: pour amplificateurs RF VHF/UHF. Idss (min): 11mA. IGF: 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 0.5V

Transistor canal N, 30mA, 30mA, 20V. Id (T=25°C): 30mA. Idss (maxi): 30mA. Tension Vds(max): 20V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Dissipation de puissance maxi: 0.3W

Transistor canal N, 25mA, 6.5mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 6.5mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1.7pF. C (out): 0.8pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Fonction: HF-VHF. Protection G-S: non. Idss (min): 2mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 20*. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 2mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Transistor à effet de champ à jonction silicium. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.2V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.4V

Transistor canal N, 25mA, 15mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 15mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1.7pF. C (out): 0.8pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Fonction: HF-VHF. Protection G-S: non. Idss (min): 6mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 21*. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 6mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Transistor à effet de champ à jonction silicium. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 3.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1.6V

Transistor canal N, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 25mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1.7pF. C (out): 0.8pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Fonction: HF-VHF. Protection G-S: non. Idss (min): 12mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 22*. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 12mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Transistor à effet de champ à jonction silicium. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 7.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.2V

Transistor canal N, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V. Id (T=25°C): 30mA. Idss (maxi): 18mA. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. Tension Vds(max): 18V. C (in): 3pF. C (out): 1.2pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications VHF et UHF avec tension d'alimentation 12V. Protection G-S: oui. Idss (min): 2mA. Marquage sur le boîtier: M90. Nombre de connexions: 4. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200mW. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET