Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 26A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: F-II Series POWER MOSFET

Transistor canal N, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v. Id (T=25°C): 0.15A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): SSFP. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 7pF. C (out): 5.9pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching. Protection G-S: oui. Id(imp): 0.6A. Dissipation de puissance maxi: 0.15W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 150 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: transistor MOSFET au silicium. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.3V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.4V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-343, 12.5V, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-343. Tension drain-source Uds [V]: 12.5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C

Transistor canal N, 1200V, 0.035 Ohms, TO-247AC. Tension drain - source (Vds): 1200V. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. Boîtier: TO-247AC. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 52A. Puissance: 228W. Diode intégrée: oui

Transistor canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUDIO POWER MOSFET. Protection G-S: non. Idss (min): 10mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ALF08P20V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Tension grille/source Vgs: 14V

Transistor canal N, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=100°C): 4.7A. Id (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 5.7A. Résistance passante Rds On: 22m Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 630pF. C (out): 75pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 16.8 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation ou applications PWM. Protection G-S: non. Id(imp): 25A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 21.5 ns. Td(on): 3.2 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Tension grille/source Vgs: 12V

Transistor canal N, 4.9A, 5.8A, 5uA, 23.4m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=100°C): 4.9A. Id (T=25°C): 5.8A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 23.4m Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 621pF. C (out): 118pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 15.5 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15.1 ns. Td(on): 4.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=100°C): 3.5A. Id (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 4.1A. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 520pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation ou applications PWM. Protection G-S: non. Id(imp): 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Tension grille/source Vgs: 20V

Transistor canal N, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Id (T=100°C): 5.2A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 18M Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 1160pF. C (out): 187pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 17.7 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: faible charge d'entrée. Protection G-S: oui. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. RoHS: oui. Spec info: Protection ESD. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 51.7 ns. Td(on): 6.2 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V

Transistor canal N, 15A, 18A, 5uA, 0.0047 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 0.0047 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 6060pF. C (out): 638pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 33.5 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Low side switch in Notebook CPU core power converter. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3W. RoHS: oui. Spec info: résistance de grille ultra-faible. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 51.5 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 12.7A. Idss (maxi): 20mA. Résistance passante Rds On: 0.0098 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1980pF. C (out): 317pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 11.2 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: FET dans SMPS, commutation de charge. Protection G-S: non. Id(imp): 60A. Idss (min): 0.02mA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 27 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V

Transistor canal N, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 20A. Idss: 0.1mA. Idss (maxi): 20mA. Résistance passante Rds On: 0.0039 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 3760pF. C (out): 682pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 18 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 100A. Idss (min): 0.1mA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 34 ns. Td(on): 9.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V

Transistor canal N, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 9.6A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 20mA. Résistance passante Rds On: 0.0058 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2154pF. C (out): 474pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 12 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Protection G-S: non. Id(imp): 180A. Idss (min): 0.1mA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 25.2 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.3V

Transistor canal N, 3.6A, 4.5A, 5uA, 46m Ohms, SO, SO-8, 60V. Id (T=100°C): 3.6A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 46m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 2. Trr Diode (Min.): 27.5us. Fonction: Transistor MOSFET. Rds (ON) très faible. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) min.: 4.7V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 18A, 18A, 5uA, 13.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=100°C): 18A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 13.6m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1040pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2500. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 19 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 40A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D408. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) AOD405. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 17.4 ns. Td(on): 4.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 12A, 12A, 5uA, 47m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 47m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 450pF. C (out): 61pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2500. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 27.6 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 16 ns. Td(on): 4.2 ns. Technologie: 'Latest Trench Power MOSFET technology'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=100°C): 42A. Id (T=25°C): 54A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 6m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 951pF. C (out): 373pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2500. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 10.2 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC en informatique. Protection G-S: non. Id(imp): 96A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Spec info: RDS(on) très faible à 10VGS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 18.5 ns. Td(on): 6.25 ns. Technologie: 'Latest Trench Power MOSFET technology'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.8V

Transistor canal N, 2.5A, 3.9A, 10uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 400V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 3.9A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 400V. C (in): 273pF. C (out): 16pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 172ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 15A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 52W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 18 ns. Td(on): 17 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 500V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.71 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 500V. C (in): 962pF. C (out): 98pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 332ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 27A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 178W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 55 ns. Td(on): 24 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.3V

Transistor canal N, 51A, 80A, 5uA, 5.3m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 60V. Id (T=100°C): 51A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 5.3m Ohms. Boîtier: PowerPAK SO-8. Boîtier (selon fiche technique): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 2850pF. C (out): 258pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 19 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Protection G-S: non. Id(imp): 170A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 83W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 29 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V

Transistor canal N, 115A, 150A, 5uA, 1.9m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 30 v. Id (T=100°C): 115A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 1.9m Ohms. Boîtier: PowerPAK SO-8. Boîtier (selon fiche technique): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 3430pF. C (out): 1327pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 22 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. Protection G-S: non. Id(imp): 340A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 83W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 33.8 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: 'Latest Trench Power AlphaMOS technology'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 36A, 46A, 5uA, 7.7m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 46A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 7.7m Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1100pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 19 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier. Protection G-S: oui. Id(imp): 110A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: AOY2610E. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 59.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 22 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: Trench Power AlphaSGTTM technology. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.4V

Transistor canal N, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 30 v. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 25m Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 655pF. C (out): 145pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 95A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 40T03 GP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31.25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 25m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 655pF. C (out): 145pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 95A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 40T03 GP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31.25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 mS. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 25m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 655pF. C (out): 145pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 95A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 40T03GS. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 16 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V