Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.2A - BSS138LT1G-J1
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.45$ | 0.47$ |
| 10 - 24 | 0.43$ | 0.45$ |
| 25 - 49 | 0.42$ | 0.44$ |
| 50 - 99 | 0.41$ | 0.43$ |
| 100 - 249 | 0.25$ | 0.26$ |
| 250 - 499 | 0.24$ | 0.25$ |
| 500 - 39998 | 0.23$ | 0.24$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.45$ | 0.47$ |
| 10 - 24 | 0.43$ | 0.45$ |
| 25 - 49 | 0.42$ | 0.44$ |
| 50 - 99 | 0.41$ | 0.43$ |
| 100 - 249 | 0.25$ | 0.26$ |
| 250 - 499 | 0.24$ | 0.25$ |
| 500 - 39998 | 0.23$ | 0.24$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.2A - BSS138LT1G-J1. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: J1. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Onsemi. Quantité en stock actualisée le 16/06/2025, 03:25.
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