Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 12A, 12A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1500pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Protection G-S: oui. Id(imp): 48A. Marquage sur le boîtier: K3568. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 170 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): SC-67, 2-10U1B. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1500pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Protection G-S: oui. Id(imp): 40A. Marquage sur le boîtier: K3569. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Poids: 1.7g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 180 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (TT-MOSVI). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 100uA, 3.7 Ohms, TO-92, TO-92. Idss: 100uA. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. C (in): 700pF. C (out): 75pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 850 ns. Type de transistor: MOSFET. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 125 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Protection G-S: oui

Transistor canal N, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 7.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Protection G-S: oui. Id(imp): 30A. Marquage sur le boîtier: K3667. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 9A, 250uA, 1.22 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.22 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1100pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 3.2us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Protection G-S: non. Id(imp): 36A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: K3679. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 95W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 19A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1560pF. C (out): 230pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 0.57us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High speed switching,. Protection G-S: non. Id(imp): 76A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 97W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 56 ns. Td(on): 29 ns. Technologie: Super FAP-G Series. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 3.7A, 3.7A, 250uA, 3.31 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 3.7A. Id (T=25°C): 3.7A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.31 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 430pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Protection G-S: non. Id(imp): 14.8A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: K3699. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 43W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 32 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Super FAP-G Series. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 8A, 100uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F ( SC-67 ), 900V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F ( SC-67 ). Tension Vds(max): 900V. C (in): 2200pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1700 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Protection G-S: oui. Id(imp): 24A. Marquage sur le boîtier: K3799. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 120ns. Td(on): 65 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 0.7A, 100uA, 14 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 600V. Id (T=25°C): 0.7A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 14 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 600V. C (in): 96pF. C (out): 29pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 2.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: K3850. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 16 ns. Td(on): 9 ns. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V

Transistor canal N, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. Id (T=100°C): 5.3A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2200pF. C (out): 45pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1.4us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Protection G-S: oui. Id(imp): 27A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: K3878. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 120ns. Td(on): 65 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 20A, 500uA, 0.22 Ohms, TO-3PN, 2-16C1B, 600V. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.22 Ohms. Boîtier: TO-3PN. Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 600V. C (in): 4250pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1350 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Régulateur à découpage. Protection G-S: oui. Id(imp): 80A. Marquage sur le boîtier: K3911. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 80 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Type MOS à effet de champ (MACH-II-MOS VI). Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 15A, 100uA, 0.23 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3100pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1.3us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Régulateur à découpage. Protection G-S: oui. Id(imp): 60A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 280 ns. Td(on): 130 ns. Technologie: Field Effect MOS Type(TT-MOS VI). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 4250pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 380 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Régulateur à découpage. Protection G-S: oui. Id(imp): 92A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 80 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Type MOS à effet de champ (MACH-II-MOS VI). Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 4 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.33 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2400pF. C (out): 220pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Protection G-S: oui. Id(imp): 52A. Marquage sur le boîtier: K4012. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 95 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (TT-MOS VI). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 6A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10U1B ), 800V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.35 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F ( 2-10U1B ). Tension Vds(max): 800V. C (in): 1400pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Protection G-S: oui. Id(imp): 18A. Marquage sur le boîtier: K4013 Q. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 220 ns. Td(on): 80 ns. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (TT-MOS IV). Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 5A, 5A, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 5A. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Chopper Regulator, DC-DC Converter, Motor driver. Id(imp): 20A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (U-MOS III)

Transistor canal N, 28A, 60A, 1uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 5.2m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 2900pF. C (out): 450pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de commutation à courant élevé. Protection G-S: non. Id(imp): 180A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: K4075. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 52W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 54 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: MOSFET DE PUISSANCE, transistor à effet de champ. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V

Transistor canal N, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V. Id (T=100°C): n/a. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.21 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3400pF. C (out): 320pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Protection G-S: oui. Id(imp): 80A. Idss (min): n/a. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 280 ns. Td(on): 130 ns. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (MOS VI). Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 5A, 5A, 800V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 5A. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: V-MOS. Dissipation de puissance maxi: 100W

Transistor canal N, 3A, 5A, 5A, 2.5 Ohms, 850V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 5A. Résistance passante Rds On: 2.5 Ohms. Tension Vds(max): 850V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 150W

Transistor canal N, 5A, 5A, 800V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 5A. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 100W. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, 1.5A, 3A, 3A, 4 Ohms, 800V. Id (T=100°C): 1.5A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 3A. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Remarque: (F). Dissipation de puissance maxi: 40W. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 800V. C (in): 900pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à grande vitesse. Protection G-S: non. Id(imp): 12A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. Spec info: Samsung B4054-0018. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: V-MOS S-L. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 0.6A, 0.6A, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92MOD, 100V. Id (T=25°C): 0.6A. Idss (maxi): 0.6A. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD. Tension Vds(max): 100V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commande de relais, commande de moteur. Id(imp): 1.8A. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Transistor canal N, 12A, 25A, 25A, 0.046 Ohms, 60V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 25A. Résistance passante Rds On: 0.046 Ohms. Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 40W. Technologie: V-MOS