Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 25A, 100uA, 0.23 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3600pF. C (out): 700pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Protection G-S: non. Id(imp): 100A. Marquage sur le boîtier: K2372. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 160 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: transistor MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2.5V

Transistor canal N, 7.5A, 7.5A, 0.42 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. Id (T=25°C): 7.5A. Idss (maxi): 7.5A. Résistance passante Rds On: 0.42 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 250V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 30A. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor à effet de champ

Transistor canal N, 3mA, 14mA, TO-92, TO-92. Id (T=25°C): 3mA. Idss (maxi): 14mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Fonction: transistor complémentaire (paire) 2SJ103. Idss (min): 6mA. Marquage sur le boîtier: K246BL. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension grille/source Vgs: -30V. Tension grille/source VGS (off) max.: 6V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.7V

Transistor canal N, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 900pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de commutation haute tension. Protection G-S: non. Id(imp): 12A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 35W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 63 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: transistor MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V

Transistor canal N, 25A, 100uA, 0.046 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 50V. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.046 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 50V. C (in): 900pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Yfs--8-16S. Protection G-S: oui. Id(imp): 75A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: K2507. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Type MOS à effet de champ (L2-TT-MOSV). Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V

Transistor canal N, 2A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 250V. C (in): 220pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Protection G-S: non. Id(imp): 4A. Marquage sur le boîtier: K2538. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Power F-MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 4A, 8A, 8A, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 8A. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Régulateur à découpage. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Type MOS (TT.MOSV)

Transistor canal N, 3A, 6A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1300pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Protection G-S: oui. Id(imp): 24A. Marquage sur le boîtier: K2545. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 45 ns. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 5A, 100uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.9 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1800pF. C (out): 105pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High Speed, H.V. Protection G-S: oui. Id(imp): 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 80 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 9A, 9A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High Speed, H.V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII)

Transistor canal N, 5A, 100uA, 2.3 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 2.3 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1200pF. C (out): 120pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High Speed, H.V. Protection G-S: oui. Id(imp): 15A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2040pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1.6us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High Speed, H.V. Protection G-S: oui. Id(imp): 27A. Marquage sur le boîtier: K2611. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 95 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 1.5A, 2A, 100uA, 0.33 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( 2-5K1B ), 60V. Id (T=100°C): 1.5A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.33 Ohms. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89 ( 2-5K1B ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 150pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor à effet de champ. Protection G-S: Suppresseur. Id(imp): 6A. Marquage sur le boîtier: ZA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 150 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Type MOS (L2.TT.MOSV). Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V

Transistor canal N, 4A, 1mA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FI. Tension Vds(max): 600V. C (in): 700pF. C (out): 220pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 25 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching. Protection G-S: non. Id(imp): 16A. Marquage sur le boîtier: K2625. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.5V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3.5V

Transistor canal N, 1.3A, 2.5A, 1mV, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FI-LS, 800V. Id (T=100°C): 1.3A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 1mV. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FI-LS. Tension Vds(max): 800V. C (in): 550pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching Applications. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: V-MOS (F). Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 5.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.5V

Transistor canal N, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.73 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 500V. C (in): 950pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Protection G-S: non. Id(imp): 40A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: K2640. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3.5V

Transistor canal N, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100nA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 600V. C (in): 900pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Protection G-S: non. Id(imp): 32A. Idss (min): 10nA. Marquage sur le boîtier: K2645. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V

Transistor canal N, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 3.19 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 800V. C (in): 450pF. C (out): 75pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 16A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: K2647. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor canal N, 3A, 6A, 500uA, 1.78 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.78 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 900V. C (in): 900pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Protection G-S: non. Id(imp): 24A. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V

Transistor canal N, 5A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.35 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 500V. C (in): 780pF. C (out): 200pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High Speed Switching, Zener-Protected. Protection G-S: oui. Id(imp): 20A. Marquage sur le boîtier: K2662. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 35W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Transistor à effet de champ (TT-MOS V). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 5A, 250uA, 2.1 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 2.1 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1140pF. C (out): 105pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): na. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 10A. Idss (min): na. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 210 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: HVX-2 Series POWER MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V

Transistor canal N, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO3P ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 600V. C (in): 2600pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Protection G-S: oui. Id(imp): 48A. Marquage sur le boîtier: K2699. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 750pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Convertisseurs DC-DC à commutation haute vitesse et haute tension. Protection G-S: oui. Id(imp): 9A. Marquage sur le boîtier: K2700. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 2A, 100uA, 2A, 3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 500V. Id (T=25°C): 2A. Idss: 100uA. Idss (maxi): 2A. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 280pF. C (out): 58pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 410 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 6A. Marquage sur le boîtier: K2715. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v

Transistor canal N, 5A, 100uA, 2.3 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 2.3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1200pF. C (out): 20pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Convertisseurs DC-DC à commutation haute vitesse et haute tension. Protection G-S: oui. Id(imp): 15A. Marquage sur le boîtier: K2717. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V