Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 8A. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 32A. Idss (min): 0.1uA. Dissipation de puissance maxi: 150W. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 156A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Field Effect Power MOSFET

Transistor canal N, 200A, Autre, Autre, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 40pF. C (out): 14pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Fonction: Double transistor IGBT (isolé). Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 200A. Ic(puls): 400A. Nombre de connexions: 7. Dimensions: 108x62x31mm. Dissipation de puissance maxi: 1500W. RoHS: oui. Spec info: commutation haute puissance. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 300 ns. Td(on): 250 ns. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 6V

Transistor canal N, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, boîtier plastique 2mm × 2mm, 30 v. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.024...0.042 Ohms. Boîtier: WSON6. Boîtier (selon fiche technique): boîtier plastique 2mm × 2mm. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 260pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 57A. Nombre de connexions: 6. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 17W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 4.2 ns. Td(on): 2.8 ns. Technologie: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.9V

Transistor canal N, 600A, Autre, Autre, 1200V. Ic(T=100°C): 600A. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 37pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Fonction: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 600A. Ic(puls): 1200A. Nombre de connexions: 10. Dimensions: 172x89x37mm. Dissipation de puissance maxi: 3350W. RoHS: oui. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.7 ns. Td(on): 0.21 ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.8V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30V/-30V, 6A/-4.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/-4.2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: C3025LS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.2V/-2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11.2 ns/7.5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 14.5/28.2 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 590/631pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension Vds(max): 200V. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 900pF. C (out): 500pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Protection G-S: non. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECW20P20. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 155 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.1V

Transistor canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Protection G-S: non. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECX10P20. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.15V

Transistor canal N, 7A, 11A, 10uA, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1148pF. C (out): 671pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ID pulse 33A. Protection G-S: non. Id(imp): 33A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 119 ns. Td(on): 34 ns. Technologie: SuperFET MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 7A, 11A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V, 650V, 0.32 Ohms, TO-220F. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.33 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Tension drain - source (Vds): 650V. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: TO-220F. Type de canal: N. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 36W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SuperFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Courant de drain maxi: 11A. Puissance: 36W

Transistor canal N, 9.9A, 16.5A, 10uA, 0.31 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V. Id (T=100°C): 9.9A. Id (T=25°C): 16.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.31 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1495pF. C (out): 235pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 490 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: PDP TV, Uninterruptible Power Supply. Protection G-S: non. Id(imp): 66A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: FDA16N50. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 205W. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: UniFET MOSFET, DMOS technology. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 100uA, 0.15 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 400V. C (in): 2280pF. C (out): 370pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de transistor: MOSFET. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: FDA24N40F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 235W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 120ns. Td(on): 40 ns. Technologie: UniFET MOSFET, DMOS technology. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-3P, 500V, 48A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3P. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FDA50N50. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 220 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 460 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6460pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 59A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.041 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 250V. C (in): 3090pF. C (out): 630pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: PDP TV, AC/DC Converter. Protection G-S: non. Id(imp): 236A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 392W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 44.2A, 69A, 10uA, 0.034 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. Id (T=100°C): 44.2A. Id (T=25°C): 69A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.034 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 250V. C (in): 3570pF. C (out): 750pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 210 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: PDP TV, AC/DC Converter. Protection G-S: non. Id(imp): 276A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 480W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 95 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.0087 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 1970pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 100A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 28 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SUPERSOT-6, 8V, 1.5A/1.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SUPERSOT-6. Tension drain-source Uds [V]: 8V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A/1.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 6. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.7W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 60V, 30A, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Résistance passante Rds On: 0.023 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FDD5690. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 24 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1110pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 24 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.0088 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 25 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 100A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 52W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V

Transistor canal N, 15A, 59A, 59A, 0.016 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 59A. Idss (maxi): 59A. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 1400pF. C (out): 317pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 26 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 100A. Marquage sur le boîtier: FDD6635. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 55W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 28 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 50A, 65A, 1uA, 8.2M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 65A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 8.2M Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5070pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Protection G-S: non. Id(imp): 100A. Remarque: transistor à commande de porte par niveau logique. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 69 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 0.8V

Transistor canal N, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 150V. Id (T=100°C): 11.4A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 61m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 150V. C (in): 575pF. C (out): 64pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 56.4 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Protection G-S: non. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Remarque: High performance trench technology. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 56.8W. RoHS: oui. Spec info: résistance RDS(on) extrêmement faible. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15.8 ns. Td(on): 10.3 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 15.2A, 57A, 1uA, 0.085 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Id (T=100°C): 15.2A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.085 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 1970pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2500. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 22 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, onduleurs, alimentations. Protection G-S: non. Id(imp): 100A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: FDD8447L. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 44W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 38 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 40A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 880pF. C (out): 195pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2500. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 23 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Protection G-S: non. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 39 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.2V