Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: transistor complémentaire (paire) BDW94CF. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 33W. RoHS: oui. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V

Transistor NPN, 100V, 12A, TO-220FP. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220FP. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Puissance: 33W

Transistor NPN, TO220, 100V. Boîtier: TO220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Type: transistor Darlington. Polarité: NPN. Puissance: 70W. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Gain hFE min.: 750. Courant maximum 1: 10A. Série: BDX33

Transistor NPN, 80V, 8A, TO-220-F. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220-F. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Puissance: 20W. Fréquence maxi: 20MHz. Gain hFE min.: 750

Transistor NPN, TO220, 100V. Boîtier: TO220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Type: transistor Darlington. Polarité: NPN. Puissance: 60W. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Gain hFE min.: 750. Courant maximum 1: 8A. Série: BDX53

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO3, 350V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: alimentation à découpage. Dissipation de puissance maxi: 95W. RoHS: non. Td(off): 3.5us. Td(on): 0.5us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Vcbo: 750V

Transistor NPN. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 25mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 25V, 0.1A, TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 25V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Applications: RF-POWER. Fréquence maxi: 400MHz

Transistor NPN. Quantité par boîtier: 1. Fonction: TV-IF-reVHF

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 25mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BF240. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.22W

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 25mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode BE: non. C (out): 2pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 300V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE mini: 50. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 800mW. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BF421. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 250V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (out): 1.6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 100mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BF423. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 160V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90 MHz. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 100mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode BE: non. C (out): 5.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90 MHz. Fonction: VID-L. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 300mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 10W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.5A, 250V. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 45 MHz. Fonction: VID-L. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 45 MHz. Fonction: VID-L. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.05A, 400V. Courant de collecteur: 0.05A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. Spec info: TO-93. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-89, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-89. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: DA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 60 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 45 MHz. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 25mA, 15V. Courant de collecteur: 25mA. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: UHF-V M/O. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. Type de transistor: NPN