Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC517. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v, 30V. Courant de collecteur: 1.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Tension collecteur-émetteur VCEO: 30V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200MHz. Gain hFE mini: 30000. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC516. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 10V. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Puissance: 0.625W

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 65V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Diode BE: non. Diode CE: non. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 220. Gain hFE mini: 90. Ic(puls): 0.2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC556A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V

Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-92. C (out): 6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 0.2A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC556B. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V

Transistor NPN, TO-92, 100mA, 80V, 0.2A. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur: 0.2A. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC546B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Puissance: 0.5W

Transistor NPN, 65V, 0.1A, TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 65V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Puissance: 0.5W

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 65V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Diode BE: non. C (out): 6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 220. Gain hFE mini: 90. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC557A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar-Transistor'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC547B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC557B. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar-Transistor'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Vebo: 6V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC547B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-92. C (out): TO-226. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 270. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC557C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar-Transistor'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC547C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC547C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC547C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC558B. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC548B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

ROHS: Oui. Boîtier: TO92. Montage/installation: THT. Type de transistor: NPN. Polarité: bipolaire. Tension (collecteur - émetteur): 30V. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Gain hfe: 400. Puissance: 500mW

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC548C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, 30 v. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC549C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. C (out): 2.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC560B. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC560C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92 3L (Ammo Pack), 45V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 3L (Ammo Pack). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): 9pF. C (out): 3.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): +150°C. Equivalences: BC550CG, BC550CBU. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC560C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. C (in): 50pF. C (out): 7pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V