Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 1V. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Spec info: sérigraphie/code CMS 1V. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V

Transistor NPN, 50mA, 275V. Courant de collecteur: 50mA. Tension collecteur/émetteur Vceo: 275V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90MHz. Id(imp): 300mA. Dissipation de puissance maxi: 7W. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 20V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 700 MHz. Fonction: VHF TV-IF. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 35. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 3V

Transistor NPN, 150mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Courant de collecteur: 150mA. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 7GHz. Fonction: Transistor large bande VHF/UHF-A 7 GHz. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE mini: 80. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Vcbo: 25V. Vebo: 2V

Transistor NPN, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Courant de collecteur: 200mA. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Diode BE: non. C (out): 0.7pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 7GHz. Fonction: Pour amplificateur d'antenne VHF/UHF et applications de communication RF. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 60. Nombre de connexions: 4. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 3V

Transistor NPN, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143B. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. Diode BE: non. C (in): 1.3pF. C (out): 0.7pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8GHz. Fonction: UHF wideband transistor. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 60. Marquage sur le boîtier: V3%. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 300mW (total 380mW). RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS V3. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V

Transistor NPN, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143B. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. Diode BE: non. C (in): 1.3pF. C (out): 0.7pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8GHz. Fonction: UHF wideband transistor. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 60. Marquage sur le boîtier: %MW. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 300mW (total 380mW). RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS MW. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V

Transistor NPN, 0.1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: VID-L. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V

Transistor NPN, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V. Courant de collecteur: 80mA. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. Tension collecteur/émetteur Vceo: 12V. Diode BE: non. C (in): 0.9pF. C (out): 0.28pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8GHz. Fonction: UHF wideband transistor. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 70. Marquage sur le boîtier: RCs. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 580mW (total 380mW). RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS RCs. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2V

Transistor NPN, 0.3A, 100V. Courant de collecteur: 0.3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Hi-res'. Remarque: Tc.=115°C. Dissipation de puissance maxi: 3W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BFQ252. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.15A, 25V. Courant de collecteur: 0.15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: UHF-A. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.25A, 36V. Courant de collecteur: 1.25A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 36V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 175 MHz. Dissipation de puissance maxi: 4W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 210mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 210mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: R7s. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 15V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 5GHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.7W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.045A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. Courant de collecteur: 0.045A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Diode BE: non. C (in): 0.64pF. C (out): 0.23pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 5GHz. Fonction: Transistor large bande 5GHz (UHF-A). Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 70. Dissipation de puissance maxi: 0.28W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 15V. Vebo: 2.5V

Transistor NPN, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Diode BE: non. C (in): 1.2pF. C (out): 0.6pF. Diode CE: non. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 5GHz. Fonction: Transistor large bande 5GHz (UHF-A). Gain hFE maxi: 135. Gain hFE mini: 65. Remarque: sérigraphie/code CMS P2P. Marquage sur le boîtier: P2p. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 45mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 45mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: GFs. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 15V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 5GHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.28W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Courant de collecteur: 35mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 12V. Diode BE: non. Diode CE: non. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 6GHz. Fonction: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Gain hFE maxi: 90. Gain hFE mini: 40. Marquage sur le boîtier: R2. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Spec info: SMD R2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 15V. Vebo: 2V

Transistor NPN, 100mA, SOT-37 ( TO-50 ), SOT-37 ( TO-50 ), 15V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-37 ( TO-50 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-37 ( TO-50 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 5GHz. Fonction: Amplificateur RF jusqu'à la gamme GHz pour amplificateur d'antenne.. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 25. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 700W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Planar RF Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V

Transistor NPN, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2.8GHz. Fonction: VHF-UHF 3GHz wideband transistor. Gain hFE maxi: 90. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 50mA. Marquage sur le boîtier: E2. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Vebo: 2.5V

Transistor NPN, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 450 MHz. Fonction: 'IF and VHF thick and thin-film circuit'. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 25mA. Remarque: sérigraphie/code CMS G1p, G1t, G1W. Marquage sur le boîtier: G1*. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Vebo: 4 v

Transistor NPN, 0.2A, 30 v. Courant de collecteur: 0.2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: UHF-A. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence. Boîtier (norme JEDEC): TO-264. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BFU590G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 24V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 8.5GHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 140V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Transistor haute tension. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BFV421. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 50mA, TO-72, TO-72, 10V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-72. Boîtier (selon fiche technique): TO-72. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1.6GHz. Fonction: VHF-UHF-A. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 100mA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V

Transistor NPN, TO-50, 0.025A, TO-50-3, 25V. Boîtier: TO-50. Courant de collecteur: 0.025A. Boîtier (selon fiche technique): TO-50-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3.2GHz. Fonction: Amplificateur RF large bande jusqu'à la gamme GHz.. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Spec info: 'Planar RF Transistor'. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V