Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, TO220, 100V. Boîtier: TO220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Type: transistor Darlington. Polarité: NPN. Puissance: 65W. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Gain hFE min.: 1000. Courant maximum 1: 5A. Série: TIP122G

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP132. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP142. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Résistance BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor Darlington de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP147T. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Darlington monolithique. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, TO-247, 15A, TO-247, 100V. Boîtier: TO-247. Courant de collecteur: 15A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Remarque: transistor complémentaire (paire) TIP2955. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. Spec info: Faible tension de saturation collecteur-émetteur. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 24. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 5A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP32C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, TO-247, 25A, TO-247, 100V. Boîtier: TO-247. Courant de collecteur: 25A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Date de production: 1450. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 50A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP36C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Diode BE: non. C (out): 35pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 25A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP35CG. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. C (out): 80pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP42C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 100V, 6A, TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 65W. Fréquence maxi: 3MHz

Transistor NPN, 1A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tension de saturation VCE(sat): 1V

Transistor NPN, 400V, 1A, TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 400V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Puissance: 1W

Transistor NPN, 50V, 3A, TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 50V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-92. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Puissance: 0.75W. Fréquence maxi: 90MHz

Transistor NPN, 18A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Courant de collecteur: 18A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PMLH. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: haute vitesse.. Gain hFE maxi: 15. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 35A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 85W. Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Tf(max): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FI. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. C (out): 110pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Vbe(sat)1.5V. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. Spec info: avec résistance de polarisation Rbe. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tension de saturation VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FI. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. C (out): 110pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Applications de sortie de déviation horizontale TV couleur. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Spec info: avec résistance de polarisation Rbe. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.3us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 8A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. C (out): 80pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Applications de sortie de déviation horizontale TV couleur. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 20A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 10A, 800V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. C (out): 80pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 65W. Spec info: TT2206-YD TO-3PML. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1600V

Transistor NPN, EMT6. Boîtier (selon fiche technique): EMT6. Quantité par boîtier: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS H21. Marquage sur le boîtier: H21. Nombre de connexions: 6. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: *SMD SO6*

Transistor NPN, EMT6. Boîtier (selon fiche technique): EMT6. Quantité par boîtier: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS H9C. Marquage sur le boîtier: H9C. Nombre de connexions: 6. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: *SMD SO6*

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: INFI->PANAS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, TO-92, TO-92, 25V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Diode BE: non. C (out): 120pF. Diode CE: non. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Fonction: transistor unijonction UJT, hi-beta, lo-sat. Gain hFE maxi: 1200. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX788. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -50...+200°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.03V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. C (out): 15pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX550. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (out): 15pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX551. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.35V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 300mA, TO-92, TO-92, 400V. Courant de collecteur: 300mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Transistor haute tension. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V