Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 6A, 600V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 7A, 600V. Courant de collecteur: 7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, M31/J, 3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M31/J. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1.5 kV. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Marquage du fabricant: silicium. Fréquence de coupure ft [MHz]: NPN

Transistor NPN, 4A, 1500V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, 1500V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, 600V. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, M31/J, 5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M31/J. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1500V/600V. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Marquage du fabricant: silicium. Fréquence de coupure ft [MHz]: NPN. Plage de température de fonctionnement min (°C): 600V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, M37/J, 6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M37/J. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor NPN Darlington. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W

Transistor NPN, 1A, 30 v. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, 1500V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: (F). Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: isolé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'CTV-HA' (isolé). Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 7A, 600V. Courant de collecteur: 7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, 600V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'CTV-HA' (isolé). Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V

Transistor NPN, 3.5A, 600V. Courant de collecteur: 3.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 600V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 2A, 700V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1500V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Gain hFE maxi: 15. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 17A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.1A, 160V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF/SL. Remarque: hFE 100...200. Spec info: 2SD1609-C. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 140. Ic(puls): 4A. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2SB1123S. Marquage sur le boîtier: DF. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS DF. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 2A, 60V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Remarque: hFE 200...400. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: sérigraphie/code CMS DF, transistor complémentaire (paire) 2SB1123T. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 140. Ic(puls): 6A. Marquage sur le boîtier: DG. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS DG. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistors'. Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 1.5A, SOT-89, SANYO PCP, 50V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SANYO PCP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: courant continu élevé, pilotes de relais, pilotes de lampe. Gain hFE maxi: 4000. Gain hFE mini: 3000. Ic(puls): 3A. Marquage sur le boîtier: DI. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Spec info: sérigraphie/code CMS DI, transistor complémentaire (paire) 2SB1126. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.9V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 2A, 30 v. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: Courant continu élevé, pilotes de relais, contrôle de régulation de tension. Remarque: hFE 3000...4000. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Spec info: sérigraphie/code CMS DJ. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 60V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SANYO--PCP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: sérigraphie/code CMS DK, hFE 120...200. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 20V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SANYO--PCP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 180. Id(imp): 8A. Marquage sur le boîtier: DK. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: sérigraphie/code CMS DK. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V