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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
Semi-conducteurs Transistors
Transistors bipolaires NPN

Transistors bipolaires NPN

1017 produits disponibles
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Quantité en stock : 28
2SD401

2SD401

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220. Boîtier (sel...
2SD401
Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 3A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V
2SD401
Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 3A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V
Lot de 1
1.42$ TTC
(1.35$ HT)
1.42$
Quantité en stock : 3
2SD414

2SD414

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé....
2SD414
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V/80V. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W
2SD414
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V/80V. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W
Lot de 1
1.94$ TTC
(1.85$ HT)
1.94$
Quantité en stock : 934
2SD467C

2SD467C

Transistor NPN, 0.7A, 25V. Courant de collecteur: 0.7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quan...
2SD467C
Transistor NPN, 0.7A, 25V. Courant de collecteur: 0.7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 280 MHz. Fonction: usage général. Remarque: hFE 120...240. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Type de transistor: NPN
2SD467C
Transistor NPN, 0.7A, 25V. Courant de collecteur: 0.7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 280 MHz. Fonction: usage général. Remarque: hFE 120...240. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Type de transistor: NPN
Lot de 1
0.35$ TTC
(0.33$ HT)
0.35$
Quantité en stock : 41
2SD5072

2SD5072

Transistor NPN, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-...
2SD5072
Transistor NPN, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Hi-res'. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. Spec info: MONITOR. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V
2SD5072
Transistor NPN, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Hi-res'. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. Spec info: MONITOR. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V
Lot de 1
2.78$ TTC
(2.65$ HT)
2.78$
Quantité en stock : 8
2SD600K

2SD600K

Transistor NPN, 1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 120V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-1...
2SD600K
Transistor NPN, 1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 120V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 8W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB631K. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V
2SD600K
Transistor NPN, 1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 120V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 8W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB631K. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V
Lot de 1
6.67$ TTC
(6.35$ HT)
6.67$
Quantité en stock : 10
2SD601

2SD601

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-236, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé....
2SD601
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-236, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-236. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W
2SD601
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-236, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-236. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W
Lot de 1
0.44$ TTC
(0.42$ HT)
0.44$
Quantité en stock : 12
2SD655

2SD655

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 700mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. ...
2SD655
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 700mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 700mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/15V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W
2SD655
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 700mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 700mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/15V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W
Lot de 1
0.42$ TTC
(0.40$ HT)
0.42$
Quantité en stock : 61
2SD667

2SD667

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. BoÃ...
2SD667
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 2A. Remarque: 9mm. Marquage sur le boîtier: D667. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB647. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon NPN Epitaxial. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
2SD667
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 2A. Remarque: 9mm. Marquage sur le boîtier: D667. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB647. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon NPN Epitaxial. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
Lot de 1
1.59$ TTC
(1.51$ HT)
1.59$
Quantité en stock : 26
2SD712

2SD712

Transistor NPN, 4A, 100V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quanti...
2SD712
Transistor NPN, 4A, 100V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Dissipation de puissance maxi: 30W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB682. Type de transistor: NPN
2SD712
Transistor NPN, 4A, 100V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Dissipation de puissance maxi: 30W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB682. Type de transistor: NPN
Lot de 1
1.50$ TTC
(1.43$ HT)
1.50$
Quantité en stock : 83
2SD718

2SD718

Transistor NPN, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3P...
2SD718
Transistor NPN, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 12 MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 55. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB688. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V
2SD718
Transistor NPN, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 12 MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 55. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB688. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V
Lot de 1
5.03$ TTC
(4.79$ HT)
5.03$
Quantité en stock : 11
2SD725

2SD725

Transistor NPN, 6A, 600V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quanti...
2SD725
Transistor NPN, 6A, 600V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V
2SD725
Transistor NPN, 6A, 600V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V
Lot de 1
5.67$ TTC
(5.40$ HT)
5.67$
Quantité en stock : 4
2SD734

2SD734

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, 25V. Courant de collecteur: 0.7A. Boîtier: TO-92. Tension collecteur/Ã...
2SD734
Transistor NPN, 0.7A, TO-92, 25V. Courant de collecteur: 0.7A. Boîtier: TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Type de transistor: NPN
2SD734
Transistor NPN, 0.7A, TO-92, 25V. Courant de collecteur: 0.7A. Boîtier: TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Type de transistor: NPN
Lot de 1
1.26$ TTC
(1.20$ HT)
1.26$
Quantité en stock : 2
2SD762

2SD762

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. ...
2SD762
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Dissipation maximale Ptot [W]: 25W
2SD762
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Dissipation maximale Ptot [W]: 25W
Lot de 1
1.86$ TTC
(1.77$ HT)
1.86$
Quantité en stock : 2
2SD824A

2SD824A

Transistor NPN, 6A, 120V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quanti...
2SD824A
Transistor NPN, 6A, 120V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF/SL. Dissipation de puissance maxi: 60W. Type de transistor: NPN
2SD824A
Transistor NPN, 6A, 120V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF/SL. Dissipation de puissance maxi: 60W. Type de transistor: NPN
Lot de 1
6.67$ TTC
(6.35$ HT)
6.67$
Quantité en stock : 3
2SD855

2SD855

Transistor NPN, 1A, 60V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. QuantitÃ...
2SD855
Transistor NPN, 1A, 60V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 30W. Type de transistor: NPN
2SD855
Transistor NPN, 1A, 60V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 30W. Type de transistor: NPN
Lot de 1
2.52$ TTC
(2.40$ HT)
2.52$
En rupture de stock
2SD863

2SD863

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon f...
2SD863
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB764. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN
2SD863
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB764. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN
Lot de 1
1.00$ TTC
(0.95$ HT)
1.00$
Quantité en stock : 3
2SD871

2SD871

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boî...
2SD871
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SD871. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1500V/600V. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W
2SD871
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SD871. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1500V/600V. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W
Lot de 1
9.94$ TTC
(9.47$ HT)
9.94$
Quantité en stock : 8
2SD879

2SD879

Transistor NPN, 3A, 30 v. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quanti...
2SD879
Transistor NPN, 3A, 30 v. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Io-sat. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. Type de transistor: NPN
2SD879
Transistor NPN, 3A, 30 v. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Io-sat. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. Type de transistor: NPN
Lot de 1
1.08$ TTC
(1.03$ HT)
1.08$
Quantité en stock : 7
2SD880

2SD880

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selo...
2SD880
Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN
2SD880
Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN
Lot de 1
2.39$ TTC
(2.28$ HT)
2.39$
Quantité en stock : 8
2SD880-PMC

2SD880-PMC

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selo...
2SD880-PMC
Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN
2SD880-PMC
Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN
Lot de 1
1.49$ TTC
(1.42$ HT)
1.49$
Quantité en stock : 124
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Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-1...
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Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. C (out): 45pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 7A. Marquage sur le boîtier: D882. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB772. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. C (out): 45pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 7A. Marquage sur le boîtier: D882. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB772. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
Lot de 1
1.37$ TTC
(1.30$ HT)
1.37$
Quantité en stock : 19
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Transistor NPN, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 40V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-12...
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Transistor NPN, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 40V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: hFE 4000. Dissipation de puissance maxi: 5W. Spec info: TO-126. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN
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Transistor NPN, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 40V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: hFE 4000. Dissipation de puissance maxi: 5W. Spec info: TO-126. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN
Lot de 1
5.09$ TTC
(4.85$ HT)
5.09$
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Transistor NPN, 0.02A, 120V. Courant de collecteur: 0.02A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. ...
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Transistor NPN, 0.02A, 120V. Courant de collecteur: 0.02A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: NF. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Type de transistor: NPN
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Transistor NPN, 0.02A, 120V. Courant de collecteur: 0.02A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: NF. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Type de transistor: NPN
Lot de 1
0.54$ TTC
(0.51$ HT)
0.54$
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Transistor NPN, 5A, TO-92, TO-92, 20V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon f...
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Transistor NPN, 5A, TO-92, TO-92, 20V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Diode BE: non. C (out): 50pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: amplificateur de sortie AF. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 340. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Vebo: 7V
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Transistor NPN, 5A, TO-92, TO-92, 20V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Diode BE: non. C (out): 50pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: amplificateur de sortie AF. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 340. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Vebo: 7V
Lot de 1
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Quantité en stock : 6
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Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D8/C, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. B...
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Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D8/C, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D8/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W
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Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D8/C, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D8/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W
Lot de 1
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(0.69$ HT)
0.72$

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